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VG26S17405F 데이터시트 PDF




Vanguard Microelectronics Limited에서 제조한 전자 부품 VG26S17405F은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 VG26S17405F 자료 제공

부품번호 VG26S17405F 기능
기능 CMOS DRAM
제조업체 Vanguard Microelectronics Limited
로고 Vanguard Microelectronics Limited 로고


VG26S17405F 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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VG26S17405F 데이터시트, 핀배열, 회로
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Description
VG26(V)(S)17405F
4,194,304 x 4 - Bit
CMOS Dynamic RAM
The device CMOS Dynamic RAM organized as 4,194,304 words x 4 bits with extended data out access
mode. It is fabricated with an advanced submicron CMOS technology and designed to operate from a single
5V only or 3.3V oniy power supply. Low voltage operation is more suitable to be used on battery backup,
portable electronic application. Self-Refresh is supported and CBR cycles are being performed. lt is pack-
aged in JEDEC standard 26/24-pin plastic SOJ or TSOPII.
Features
Single 5V( ±10 %) or 3.3V(3.15V~3.6V) only power supply
High speed tRAC access time: 50/60ns
Extended - data - out(EDO) page mode access
I/O level: TTL compatible (Vcc = 5V)
LVTTL compatible (Vcc = 3.3V)
4 refresh modes:
- RAS only refresh
- CAS - before - RAS refresh
- Hidden refresh
- Self-refresh
Refresh interval:
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- RAS only refresh, CAS - before - RAS refresh and hidden refresh: 2048 cycles in 32ms
- Self-refresh: 2048 cycles
JEDEC standard pinout: 26/24-pin plastic SOJ and TSOPII.
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VG26S17405F pdf, 반도체, 판매, 대치품
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VG26(V)(S)17405F
4,194,304 x 4 - Bit
CMOS Dynamic RAM
TRUTH TABLE
FUNCTION
STANDBY
RAS
H
READ
WRITE: (EARLY WRITE )
READ WRITE
L
L
L
EDO-PAGE-
MODE READ
1st Cycle
2nd Cycle
L
L
EDO-PAGE 1st Cycle
MODE WRITE
2nd Cycle
L
L
EDO-
1st Cycle
PAGE-MODE
READ-WRITE 2nd Cycle
L
L
HIDDEN
REFRESH
READ
WRITE
et4U.comRAS-ONLY REFRESH
L®H®L
L®H®L
L
CBR REFRESH
H®L
Notes: 1. EARLY WRITE only.
CAS
H®X
L
L
L
H®L
H®L
H®L
H®L
H®L
H®L
L
L
H
L
ADDRESSES
WE OE ROW COL
DQS
X X X X High-Z
H
L
H®L
L
X
L®H
ROW
ROW
ROW
COL Data-Out
COL Data-ln
COL Data-Out,Data-ln
H L ROW COL Data-Out
H L n/a COL Data-Out
L X ROW COL Data-In
L X n/a COL Data-In
H ® L L ® H ROW COL Data-Out, Data-In
H ® L L ® H n/a
COL Data-Out, Data-In
H L ROW COL Data-Out
L X ROW COL Data-In
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X X ROW n/a High-Z
H X X X High-Z
Notes
1
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VG26S17405F 전자부품, 판매, 대치품
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VG26(V)(S)17405F
4,194,304 x 4 - Bit
CMOS Dynamic RAM
DC Characteristics ; 5-Volt Version (Cont.)
(Ta = 0 to + 70°C, VCC = + 5V ±10 %,VSS = 0V)
Parameter
Input leakage current
Output leakage current
Output high Voltage
Output low voltage
Symbol
ILI
ILO
VOH
VOL
Test Conditions
0V £ VIN £ VCC + 0.5V
0V £ VOUT £ VCC + 0.5V
Dout = Disable
IOH = - 5mA
IOL = + 4.2mA
VG26(V)(S)17405
-5 -6
Min Max Min Max Unit Notes
-5 5 -5 5 mA
-5 5 -5 5 mA
2.4 - 2.4 - V
- 0.4
- 0.4 V
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