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2SJ246 데이터시트 PDF




Hitachi Semiconductor에서 제조한 전자 부품 2SJ246은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 2SJ246 자료 제공

부품번호 2SJ246 기능
기능 SILICON P-CHANNEL MOS FET
제조업체 Hitachi Semiconductor
로고 Hitachi Semiconductor 로고


2SJ246 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 7 페이지수

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2SJ246 데이터시트, 핀배열, 회로
www.DataSheet4U.com
2SJ246 L , 2SJ246 S
SILICON P-CHANNEL MOS FET
Application
High speed power switching
Features
• Low on–resistance
• High speed switching
• Low drive current
• 4V gate drive device can be driven from
5V source.
• Suitable for Switching regulator, DC – DC
converter
DPAK–1
4
12 3
1
2, 4
3
4
123
1. Gate
2. Drain
3. Source
4. Drain
Table 1 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Item
DSaytmaSbohleet4U.com Ratings
Unit
———————————————————————————————————————————
Drain to source voltage
VDSS –30 V
———————————————————————————————————————————
Gate to source voltage
VGSS ±20 V
———————————————————————————————————————————
Drain current
ID –7 A
———————————————————————————————————————————
Drain peak current
ID(pulse)*
–28
A
———————————————————————————————————————————
Body–drain diode reverse drain current
IDR
–7 A
———————————————————————————————————————————
Channel dissipation
Pch**
20
W
———————————————————————————————————————————
Channel temperature
Tch 150 °C
———————————————————————————————————————————
Storage temperature
Tstg
–55 to +150
°C
———————————————————————————————————————————
* PW 10 µs, duty cycle 1 %
** Value at Tc = 25 °C
DataShee
DataSheet4U.com
DataSheet4 U .com




2SJ246 pdf, 반도체, 판매, 대치품
www.DataSheet4U.com
2SJ246 L , 2SJ246 S
et4U.com
Drain to Source Saturation Voltage
vs. Gate to Source Voltage
–2.0
Pulse test
–1.6
–1.2
–0.8
–0.4 –1 A
I D= –5 A
–2 A
0 –2 –4 –6 –8 –10
Gate to Source Voltage VGS (V)
Static Drain to Source on State
Resistance vs. Drain Current
5
Pulse test
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
–0.1
VGS = –4 V
–10 V
–1 –10
Drain Current I D (A)
–100
DataSheet4U.com
Static Drain to Source on State
Resistance vs. Temperature
0.5
Pulse test
0.4
0.3
VGS = –4 V
0.2
–10 V
0.1
I D= –5 A
–2 A
–1 A
–5 A
–1 A, –2 A
Forward Transfer Admittance vs.
Drain Current
10
Pusle test
VDS = –10 V
5
–25°C
2
Tc = 25°C
75°C
1
0
–40 0 40 80 120 160
Case Temperature Tc (°C)
0.5
–0.1 –0.2 –0.5 –1 –2 –5 –10
Drain Current I D (A)
DataShee
DataSheet4U.com
DataSheet4 U .com

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2SJ246 전자부품, 판매, 대치품
www.DataSheet4U.com
2SJ246 L , 2SJ246 S
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Normal Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
3
1 D=1
0.5
Tc = 25°C
0.3
0.1
0.03
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
1
shot
Pulse
0.01
10 µ
100 µ
θch – c(t) = γ s (t) • θ ch – c
θch – c = 6.25 °C/W, Tc = 25 °C
PDM
D=
PW
T
PW
T
1m
10 m
100 m
DaPtauSlsheeWetid4tUh.coPmW (s)
1
10
Switching Time Test Circuit Waveform
Vin Monitor
D.U.T.
Vout
Monitor
RL
Vin
10%
Vin
–10 V
50
V=.. DD30 V
Vout
90%
10%
t d (on)
tr
90%
90%
t d (off)
10%
tf
DataSheet4U.com
DataSheet4 U .com

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