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부품번호 | RVT1000 기능 |
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기능 | (RVT Series) RECTIFIER DIODE | ||
제조업체 | Electronic Devices | ||
로고 | |||
전체 2 페이지수
www.DataSheet4U.com
HIGH VOLTAGE 50 mA
SILICON RECTIFIERS
VT RVT
SMALL SIZE MOLDED PACKAGE
PRV 10,000 TO 15,000 VOLTS
FAST RECOVERY (R_SERIES)
AVALANCHE CHARACTERISTICS
LOW LEAKAGE
EDI
Type
PRV
Volts
REVERSE RECOVERY TIME
(Fig.4)
VT1000
VT1200
VT1500
RVT1000
RVT1200
RVT1500
10,000
12,000
15,000
10,000
12,000
15,000
-
-
-
100 ns max.
100 ns max.
100 ns max.
ELECTRICAL CHARACTERISTDIaCtaSSh(eaett4TUA.c=o2m5 oC Unless Otherwise Specified)
Average Rectified Forward Current @ 50oC, IO
Max. Peak Surge Current, IFSM (8.3ms)
Max. Forward Voltage Drop @ 50 mA, VF
Max. DC Reverse Current @ PRV and 25oC, IR
Max. DC Reverse Current @ PRV and100oC, IR
Ambient Operating Temperature Range, TA
Storage Temperature Range, TSTG
50 mA
5 Amp
28Volts
1A
25 A
-55 to + 125oC
-55 to + 150oC
DataShee
NOTES:
1.It is recommended that a proper heat sink be used on the terminals of this device between the body and
soldering point to prevent damage from excess heat.
2.If operated over 10,000v/inch in length, devices should be immersed in oil or re - encapsulated.
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EDI reservesthe rightto changethese specificationsat any time withoutnotice.
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
RVT1000 | Diode (spec sheet) | American Microsemiconductor |
RVT1000 | (RVT Series) RECTIFIER DIODE | Electronic Devices |
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