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FDS2672 데이터시트 PDF




Fairchild Semiconductor에서 제조한 전자 부품 FDS2672은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 FDS2672 자료 제공

부품번호 FDS2672 기능
기능 N-Channel UltraFET
제조업체 Fairchild Semiconductor
로고 Fairchild Semiconductor 로고


FDS2672 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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FDS2672 데이터시트, 핀배열, 회로
www.DataSheet4U.com
August 2006
FDS2672
N-Channel UltraFET Trench® MOSFET
200V, 3.9A, 70m
Features
General Description
tm
„ Max rDS(on) = 70mat VGS = 10V, ID = 3.9A
„ Max rDS(on) = 80mat VGS = 6V, ID = 3.5A
„ Fast switching speed
„ High performance trench technology for extremely low
rDS(on)
„ RoHS compliant
This single N-Channel MOSFET is produced using
Fairchild Semiconductor’s advanced UItraFET Trench®
process that has been especially tailored to minimize
the on-state resistance and yet maintain superior switching
performance.
Application
„ DC-DC conversion
DD
D
D
SO-8
Pin 1
5
www.DataSheet4U.com6
G
S
S
S
7
8
4
3
2
1
MOSFET Maximum Ratings TA = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
VDS Drain to Source Voltage
VGS Gate to Source Voltage
ID
Drain Current -Continuous
-Pulsed
EAS Single Pulse Avalanche Energy
PD
Power Dissipation
Power Dissipation
TJ, TSTG
Operating and Storage Temperature
Thermal Characteristics
(Note 1a)
(Note 3)
(Note 1a)
(Note 1b)
Ratings
200
±20
3.9
50
37.5
2.5
1.0
-55 to 150
Units
V
V
A
mJ
W
°C
RθJC
Thermal Resistance, Junction to Case
RθJA
Thermal Resistance, Junction to Ambient
RθJA
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Package Marking and Ordering Information
(Note 1)
(Note 1a)
(Note 1b)
25
50
125
°C/W
Device Marking
FDS2672
Device
FDS2672
Reel Size
13’’
Tape Width
12mm
Quantity
2500 units
©2006 Fairchild Semiconductor Corporation
FDS2672 Rev. B
1
www.fairchildsemi.com
www.DataSheet4U.com




FDS2672 pdf, 반도체, 판매, 대치품
www.DataSheet4U.com
Typical Characteristics TJ = 25°C unless otherwise noted
10
8 VDD = 50V
VDD = 100V
6
VDD = 150V
4
2
0
0 8 16 24 32 40
Qg, GATE CHARGE(nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
10000
1000
100
f = 1MHz
Ciss VGS = 0V
Coss
Crss
10
0.1
1 10
VDS, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
100
Figure 8. Capacitance vs Drain to Source Voltage
10
1
0.1
0.01
4.0
3.5
TJ = 125oC
3.0
TJ = 25oC
2.5
2.0
1.5
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VGS = 6V
VGS = 10V
0.1 1 10 100
tAV, TIME IN AVALANCHE(ms)
1000
0.5
RθJA = 50oC/W
0.0
25 50
75
100 125
TA, AMBIENT TEMPERATURE (oC)
150
Figure 9. Unclamped Inductive Switching
Capability
Figure 10. Ambient Continuous Drain Current vs
Case Temperature
102
101 100us
100 1ms
10-1
LIMITED BY
PACKAGE
10ms
100ms
10-2
OPERATION IN THIS
AREA MAY BE
SINGLE PULSE
TJ = MAX RATED
1s
DC
LIMITED BY rDS(on) TA = 25OC
10-3
0.01 0.1 1 10 100 1000
VDS, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Forward Bias Safe Operating Area
3000
1000
100
VGS = 10V
TA = 25oC
FOR TEMPERATURES
ABOVE 25oC DERATE PEAK
I = I25
1----5---0-1---2-–--5--T----A---
10
SINGLE PULSE
1
10-4 10-3 10-2 10-1 100 101 102 103
t, PULSE WIDTH (s)
Figure 12. Single Pulse Maximum Power
Dissipation
FDS2672 Rev. B
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