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PBLS4002Y 데이터시트 PDF




NXP Semiconductors에서 제조한 전자 부품 PBLS4002Y은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 PBLS4002Y 자료 제공

부품번호 PBLS4002Y 기능
기능 40 V PNP BISS loadswitch
제조업체 NXP Semiconductors
로고 NXP Semiconductors 로고


PBLS4002Y 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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PBLS4002Y 데이터시트, 핀배열, 회로
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PBLS4002Y; PBLS4002V
40 V PNP BISS loadswitch
Rev. 01 — 6 December 2004
Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description
Low VCEsat PNP transistor and NPN resistor-equipped transistor in one package.
Table 1: Product overview
Type number
PBLS4002Y
PBLS4002V
Package
Philips
SOT363
SOT666
JEITA
SC-88
-
1.2 Features
s Low VCEsat (BISS) and resistor-equipped transistor in one package
s Low ‘threshold’ voltage (< 1 V) compared to MOSFET
s Low drive power required
s Space-saving solution
s Reduction of component count.
1.3 Applications
s Supply line switches
s Battery charger switches
s High-side switches for LEDs, drivers and backlights
s Portable equipment.
1.4 Quick reference data
Table 2: Quick reference data
Symbol Parameter
Conditions
TR1; PNP: low VCEsat transistor
VCEO
collector-emitter voltage open base
IC
RCEsat
collector-current (DC)
equivalent on-resistance
IC = −500 mA;
IB = −50 mA
TR2; NPN: resistor-equipped transistor
VCEO
collector-emitter voltage open base
Min Typ Max Unit
- - 40 V
- - 500 mA
- 440 700 m
- - 50 V
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PBLS4002Y pdf, 반도체, 판매, 대치품
www.DataSheet4U.com
Philips Semiconductors
PBLS4002Y; PBLS4002V
40 V PNP BISS loadswitch
7. Characteristics
Table 8: Characteristics
Tamb = 25 °C unless otherwise specified.
Symbol Parameter
Conditions
Min Typ Max Unit
TR1; PNP: low VCEsat transistor
ICBO
collector-base cut-off
current
IEBO emitter-base cut-off
current
VCB = −40 V; IE = 0 A
VCB = −40 V; IE = 0 A; Tj = 150 °C
VEB = −5 V; IC = 0 A
- - 100 nA
- - 50 µA
- - 100 nA
hFE
VCEsat
RCEsat
DC current gain
collector-emitter
saturation voltage
equivalent
on-resistance
VCE = −2 V; IC = −10 mA
VCE = −2 V; IC = −100 mA
VCE = −2 V; IC = −500 mA
IC = −10 mA; IB = −0.5 mA
IC = −100 mA; IB = −5 mA
IC = −200 mA; IB = −10 mA
IC = −500 mA; IB = −50 mA
IC = −500 mA; IB = −50 mA
200 -
-
[1] 150
-
-
[1] 40
-
-
- - 50 mV
- - 130 mV
- - 200 mV
[1] - - 350 mV
[1] - 440 700 m
VBEsat
base-emitter
saturation voltage
IC = −500 mA; IB = −50 mA
[1] - - 1.2 V
VBEon
base-emitter
turn-on voltage
VCE = −2 V; IC = −100 mA
[1] - - 1.1 V
fT transition frequency IC = −100 mA; VCE = −5 V;
f = 100 MHz
100 300 -
MHz
Cc collector capacitance VCB = −10 V; IE = ie = 0 A; f = 1 MHz - - 10 pF
TR2; NPN: resistor-equipped transistor
ICBO
collector-base cut-off VCB = 50 V; IE = 0 A
current
- - 100 nA
ICEO
IEBO
collector-emitter
cut-off current
emitter-base cut-off
current
VCE = 30 V; IB = 0 A
VCE = 30 V; IB = 0 A; Tj = 150 °C
VEB = 5 V; IC = 0 A
- - 1 µA
- - 50 µA
- - 900 µA
hFE
VCEsat
DC current gain
collector-emitter
saturation voltage
VCE = 5 V; IC = 10 mA
IC = 10 mA; IB = 0.5 mA
30 -
--
-
150 mV
VI(off)
VI(on)
R1
off-state input voltage
on-state input voltage
bias resistor 1 (input)
VCE = 5 V; IC = 100 µA
VCE = 0.3 V; IC = 20 mA
- 1.1 0.5 V
2.5 1.9 -
V
3.3 4.7 6.1 k
R2/R1
bias resistor ratio
0.8 1
1.2
Cc collector capacitance VCB = 10 V; IE = ie = 0 A; f = 1 MHz - - 2.5 pF
[1] Pulse test: tp 300 µs; δ ≤ 0.02.
9397 750 13455
Product data sheet
DataSheet4 U .com
Rev. 01 — 6 December 2004
© Koninklijke Philips Electronics N.V. 2004. All rights reserved.
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PBLS4002Y 전자부품, 판매, 대치품
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Philips Semiconductors
PBLS4002Y; PBLS4002V
40 V PNP BISS loadswitch
10
VCEsat
(V)
1
006aaa072
103
RCEsat
()
102
006aaa073
101
(1)
(2)
10
(1)
(2)
(3)
1
102
101
1
(3)
10
102
103
IC (mA)
101
101
1
10
102
103
IC (mA)
Tamb = 25 °C.
(1) IC/IB = 10.
(2) IC/IB = 50.
(3) IC/IB = 100.
Fig 7. TR1 (PNP): Collector-emitter saturation voltage
as a function of collector current; typical
values.
Tamb = 25 °C.
(1) IC/IB = 10.
(2) IC/IB = 50.
(3) IC/IB = 100.
Fig 8. TR1 (PNP): Equivalent-on resistance as a
function of collector current; typical values.
9397 750 13455
Product data sheet
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Rev. 01 — 6 December 2004
© Koninklijke Philips Electronics N.V. 2004. All rights reserved.
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