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PBLS4003Y 데이터시트 PDF




NXP Semiconductors에서 제조한 전자 부품 PBLS4003Y은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 PBLS4003Y 자료 제공

부품번호 PBLS4003Y 기능
기능 40 V PNP BISS loadswitch
제조업체 NXP Semiconductors
로고 NXP Semiconductors 로고


PBLS4003Y 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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PBLS4003Y 데이터시트, 핀배열, 회로
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PBLS4003Y; PBLS4003V
40 V PNP BISS loadswitch
Rev. 02 — 14 July 2005
Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description
PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor and NPN Resistor-
Equipped Transistor (RET) in one package.
Table 1: Product overview
Type number
PBLS4003Y
PBLS4003V
Package
Philips
SOT363
SOT666
JEITA
SC-88
-
1.2 Features
s Low VCEsat (BISS) and resistor-equipped transistor in one package
s Low threshold voltage (< 1 V) compared to MOSFET
s Low drive power required
s Space-saving solution
s Reduction of component count
1.3 Applications
s Supply line switches
s Battery charger switches
s High-side switches for LEDs, drivers and backlights
s Portable equipment
1.4 Quick reference data
Table 2: Quick reference data
Symbol Parameter
Conditions
Min Typ Max Unit
TR1; PNP low VCEsat transistor
VCEO
collector-emitter voltage
IC collector-current (DC)
RCEsat
collector-emitter saturation
resistance
open base
IC = 500 mA;
IB = 50 mA
-
-
[1] -
- 40 V
- 500 mA
440 700 m
TR2; NPN resistor-equipped transistor
VCEO
collector-emitter voltage open base
- - 50 V
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PBLS4003Y pdf, 반도체, 판매, 대치품
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Philips Semiconductors
PBLS4003Y; PBLS4003V
40 V PNP BISS loadswitch
7. Characteristics
9397 750 15222
Product data sheet
Table 8: Characteristics
Tamb = 25 °C unless otherwise specified.
Symbol Parameter
Conditions
TR1; PNP low VCEsat transistor
ICBO
collector-base cut-off
current
VCB = 40 V; IE = 0 A
VCB = 40 V; IE = 0 A;
Tj = 150 °C
IEBO emitter-base cut-off VEB = 5 V; IC = 0 A
current
hFE
VCEsat
RCEsat
DC current gain
collector-emitter
saturation voltage
collector-emitter
saturation resistance
VCE = 2 V; IC = 10 mA
VCE = 2 V; IC = 100 mA
VCE = 2 V; IC = 500 mA
IC = 10 mA; IB = 0.5 mA
IC = 100 mA; IB = 5 mA
IC = 200 mA; IB = 10 mA
IC = 500 mA; IB = 50 mA
IC = 500 mA; IB = 50 mA
VBEsat
base-emitter
saturation voltage
IC = 500 mA; IB = 50 mA
VBEon
base-emitter
turn-on voltage
VCE = 2 V; IC = 100 mA
fT transition frequency IC = 100 mA; VCE = 5 V;
f = 100 MHz
Cc collector capacitance VCB = 10 V; IE = ie = 0 A;
f = 1 MHz
TR2; NPN resistor-equipped transistor
ICBO
collector-base cut-off VCB = 50 V; IE = 0 A
current
ICEO
IEBO
collector-emitter
cut-off current
emitter-base cut-off
current
VCE = 30 V; IB = 0 A
VCE = 30 V; IB = 0 A;
Tj = 150 °C
VEB = 5 V; IC = 0 A
hFE
VCEsat
DC current gain
collector-emitter
saturation voltage
VCE = 5 V; IC = 5 mA
IC = 10 mA; IB = 0.5 mA
VI(off)
VI(on)
R1
off-state input voltage
on-state input voltage
bias resistor 1 (input)
VCE = 5 V; IC = 100 µA
VCE = 0.3 V; IC = 10 mA
R2/R1 bias resistor ratio
Cc collector capacitance VCB = 10 V; IE = ie = 0 A;
f = 1 MHz
[1] Pulse test: tp 300 µs; δ ≤ 0.02.
Min Typ
--
--
--
200
[1] 150
[1] 40
-
-
-
[1] -
[1] -
-
-
-
-
-
-
-
440
[1] -
-
[1] -
-
100 300
--
--
--
--
--
30 -
--
- 1.1
2.5 1.8
7 10
0.8 1
--
Max Unit
100 nA
50 µA
100 nA
-
-
-
50
130
200
350
700
mV
mV
mV
mV
m
1.2 V
1.1 V
- MHz
10 pF
100 nA
1 µA
50 µA
400 µA
-
150 mV
0.8 V
-V
13 k
1.2
2.5 pF
Rev. 02 — 14 July 2005
© Koninklijke Philips Electronics N.V. 2005. All rights reserved.
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PBLS4003Y 전자부품, 판매, 대치품
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Philips Semiconductors
PBLS4003Y; PBLS4003V
40 V PNP BISS loadswitch
103
hFE
102
10
006aaa034
(1)
(2)
(3)
1
VCEsat
(V)
101
006aaa035
(1)
(2)
(3)
1
101
1
10 102
IC (mA)
VCE = 5 V
(1) Tamb = 150 °C
(2) Tamb = 25 °C
(3) Tamb = 40 °C
Fig 9. TR2 (NPN): DC current gain as a function of
collector current; typical values
006aaa036
10
102
1
10 102
IC (mA)
IC/IB = 20
(1) Tamb = 100 °C
(2) Tamb = 25 °C
(3) Tamb = 40 °C
Fig 10. TR2 (NPN): Collector-emitter saturation voltage
as a function of collector current; typical values
006aaa037
10
VI(on)
(V)
1
(1)
(2)
(3)
VI(off)
(V)
1
(1)
(2)
(3)
101
101
1
10 102
IC (mA)
101
102
101
1 10
IC (mA)
VCE = 0.3 V
(1) Tamb = 40 °C
(2) Tamb = 25 °C
(3) Tamb = 100 °C
Fig 11. TR2 (NPN): On-state input voltage as a function
of collector current; typical values
VCE = 5 V
(1) Tamb = 40 °C
(2) Tamb = 25 °C
(3) Tamb = 100 °C
Fig 12. TR2 (NPN): Off-state input voltage as a function
of collector current; typical values
9397 750 15222
Product data sheet
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Rev. 02 — 14 July 2005
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