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XP04111 데이터시트 PDF




Panasonic Semiconductor에서 제조한 전자 부품 XP04111은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 XP04111 자료 제공

부품번호 XP04111 기능
기능 Silicon PNP Epitaxial Transistor
제조업체 Panasonic Semiconductor
로고 Panasonic Semiconductor 로고


XP04111 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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XP04111 데이터시트, 핀배열, 회로
www.DataSheet4U.com
Composite Transistors
XP04111 (XP4111)
Silicon PNP epitaxial planar type
For switching/digital circuits
Features
Two elements incorporated into one package
(Transistors with built-in resistor)
Reduction of the mounting area and assembly cost by one half
Basic Part Number
UNR2111 (UN2111) × 2
0.2±0.05
65
4
1 23
(0.65) (0.65)
1.3±0.1
2.0±0.1
10˚
Unit: mm
0.12+–00..0025
Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C
Parameter
Symbol Rating
Collector-base voltage (Emitter open)
Collector-emitter voltage (Base open)
Collector current
Total power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
VCBO
VCEO
IC
PT
Tj
Tstg
50
50
100
150
150
55 to +150
Unit
V
V
mA
mW
°C
°C
1: Emitter (Tr1)
2: Base (Tr1)
3: Collector (Tr2)
EIAJ : SC-88
4: Emitter (Tr2)
5: Base (Tr2)
6: Collector (Tr1)
SMini6-G1 Package
Marking Symbol: 9U
Internal Connection
65
4
Tr1
Tr2
Electrical Characteristics Ta = 25°C ± 3°C
123
Parameter
Symbol
Conditions
Min Typ Max Unit
Collector-base voltage (Emitter open) VCBO IC = −10 µA, IE = 0
50
V
Collector-emitter voltage (Base open) VCEO IC = −2 mA, IB = 0 50 V
Collector-base cutoff current (Emitter open) ICBO VCB = −50 V, IE = 0
0.1 µA
Collector-emitter cutoff current (Base open) ICEO VCE = −50 V, IB = 0
0.5 µA
Emitter-base cutoff current (Collector open) IEBO VEB = −6 V, IC = 0
0.5 mA
Forward current transfer ratio
hFE VCE = −10 V, IC = −5 mA
35
Collector-emitter saturation voltage
VCE(sat) IC = −10 mA, IB = − 0.3 mA
0.25 V
Output voltage high-level
VOH VCC = −5 V, VB = − 0.5 V, RL = 1 kΩ −4.9
V
Output voltage low-level
VOL VCC = −5 V, VB = −2.5 V, RL = 1 k
0.2 V
Input resistance
R1
30% 10 +30% k
Resistance ratio
R1 / R2
0.8 1.0 1.2
Transition frequency
fT VCB = −10 V, IE = 1 mA, f = 200 MHz
80
MHz
Note) Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.
Publication date: March 2004
DataSheet4 U .com
Note) The part number in the parenthesis shows conventional part number.
SJJ00161BED
1





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