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2N5153L 데이터시트 PDF




Microsemi Corporation에서 제조한 전자 부품 2N5153L은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 2N5153L 자료 제공

부품번호 2N5153L 기능
기능 (2N5151 / 2N5153) PNP POWER SILICON TRANSISTOR
제조업체 Microsemi Corporation
로고 Microsemi Corporation 로고


2N5153L 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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2N5153L 데이터시트, 핀배열, 회로
www.DataSheet4U.com
PNP POWER SILICON TRANSISTOR
Qualified per MIL-PRF-19500/545
Devices
2N5151
2N5151L
2N5153
2N5153L
TECHNICAL DATA
Qualified Level
JAN
JANTX
JANTXV
MAXIMUM RATINGS
Ratings
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Total Power Dissipation
@ TA = +250C(1)
@ TC = +250C(2)
Operating & Storage Temperature Range
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristics
Thermal Resistance, Junction-to-Case
1) Derate linearly 5.7 mW/0C for TA > +250C
2) Derate linearly 66.7 mW/0C for TC > +250C
3) Derate linearly 6.67 mW/0C for TA > +250C
4) Derate linearly 80 mW/0C for TC > +250C
Symbol
VCEO
VCBO
VEBO
IC(3, 4)
PT
Tj, Tstg
Symbol
RθJC
All Units
80
100
5.5
2.0
1.0
11.8
-65 to +200
Max.
15
Units
Vdc
Vdc
Vdc
Adc
W
W
°C
Unit
0C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 250C unless otherwise noted)
Characteristics
Symbol
Min.
OFF CHARACTERISTICS
Collector-Emitter Breakdown Voltage
IC = 100 mAdc, IB = 0
Emitter-Base Cutoff Current
V(BR)CEO
80
VEB = 4.0 Vdc, Ic = 0
VEB = 5.5 Vdc, Ic = 0
Collector-Emitter Cutoff Current
IEBO
VCE = 60 Vdc, VBE = 0
VCE = 100 Vdc, VBE = 0
Collector-Base Cutoff Current
VCE = 40 Vdc, IB = 0
ICES
ICEO
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841
1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803
Max.
1.0
1.0
1.0
1.0
50
TO- 5*
2N5151L, 2N5153L
2N5151, 2N5153
TO-39*
(TO-205AD)
*See appendix A for
package outline
Unit
Vdc
µAdc
mAdc
µAdc
mAdc
µAdc
120101
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