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BUL770 데이터시트 PDF




Bourns Electronic Solutions에서 제조한 전자 부품 BUL770은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 BUL770 자료 제공

부품번호 BUL770 기능
기능 NPN SILICON POWER TRANSISTOR
제조업체 Bourns Electronic Solutions
로고 Bourns Electronic Solutions 로고


BUL770 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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BUL770 데이터시트, 핀배열, 회로
www.DataSheet4U.com
BUL770
NPN SILICON POWER TRANSISTOR
Designed Specifically for High Frequency
Electronic Ballasts up to 50 W
hFE 7 to 21 at VCE = 1 V, IC = 800 mA
Low Power Losses (On-state and Switching)
Key Parameters Characterised at High
Temperature
Tight and Reproducible Parametric
Distributions
TO-220 PACKAGE
(TOP VIEW)
B1
C2
E3
Pin 2 is in electrical contact with the mounting base.
MDTRACA
absolute maximum ratings at 25°C ambient temperature (unless otherwise noted )
RATING
Collector-emitter voltage (VBE = 0)
Collector-base voltage (IE = 0)
Collector-emitter voltage (IB = 0)
Emitter-base voltage
Continuous collector current
Peak collector current (see Note 1)
Peak collector current (see Note 2)
Continuous base current
Peak base current (see Note 2)
Continuous device dissipation at (or below) 25°C case temperature
Operating junction temperature range
Storage temperature range
NOTES: 1. This value applies for tp = 10 ms, duty cycle 2%.
2. This value applies for tp = 300 µs, duty cycle 2%.
SYMBOL
VCES
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICM
ICM
IB
IBM
Ptot
Tj
Tstg
VALUE
700
700
400
9
2.5
6
8
1.5
2.5
50
-65 to +150
-65 to +150
UNIT
V
V
V
V
A
A
A
A
A
W
°C
°C
PRODUCT INFORMATION
JULY 1991 - REVISED SEPTEMBER 2002
Specifications are subject to change without notice.
DataSheet4 U .com
1




BUL770 pdf, 반도체, 판매, 대치품
www.DataSheet4U.com
BUL770
NPN SILICON POWER TRANSISTOR
TYPICAL CHARACTERISTICS
INDUCTIVE SWITCHING TIMES
vs
COLLECTOR CURRENT
10 L770CI2
IB(on) = IC / 5
IB(off) = IC / 8
VCC = 40 V
VCLAMP = 300 V
L = 1 mH
tsv
tfi
TC = 25°C
1·0
INDUCTIVE SWITCHING TIMES
vs
CASE TEMPERATURE
10 L770CI4
IB(on) = 160 mA, VCC = 40 V, L = 1 mH
IB(off) = 100 mA, VCLAMP = 300 V, IC = 800 mA
1·0
0·1
0·1
1·0
IC - Collector Current - A
Figure 5.
tsv
tfi
0·1
10 0 20 40 60 80 100
TC - Case Temperature - °C
Figure 6.
RESISTIVE SWITCHING TIMES
vs
COLLECTOR CURRENT
L770CR1
10
IB(on) = IC / 5, VCC = 300 V
IB(off) = IC / 5, TC = 25°C
RESISTIVE SWITCHING TIMES
vs
CASE TEMPERATURE
L770CR2
10
IB(on) = 160 mA, VCC = 300 V
IB(off) = 160 mA, IC = 800 mA
1·0 1·0
tsv
tfi
0·1
0·1
1·0
IC - Collector Current - A
Figure 7.
4
DataSheet4 U .com
tsv
tfi
0·1
10 0 20 40 60 80 100
TC - Case Temperature - °C
Figure 8.
PRODUCT INFORMATION
JULY 1991 - REVISED SEPTEMBER 2002
Specifications are subject to change without notice.

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