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FDD8451 데이터시트 PDF




Fairchild Semiconductor에서 제조한 전자 부품 FDD8451은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 FDD8451 자료 제공

부품번호 FDD8451 기능
기능 N-Channel PowerTrench MOSFET
제조업체 Fairchild Semiconductor
로고 Fairchild Semiconductor 로고


FDD8451 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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FDD8451 데이터시트, 핀배열, 회로
www.DataSheet4U.com
April 2006
FDD8451
N-Channel PowerTrench® MOSFET
40V, 28A, 24m
Features
General Description
tm
„ Max rDS(on) = 24mat VGS = 10V, ID = 9A
„ Max rDS(on) = 30mat VGS = 4.5V, ID = 7A
„ Low gate charge
„ Fast Switching
„ High performance trench technology for extremely low
rDS(on)
„ RoHS compliant
AD FREE I
This N-Channel MOSFET has been designed specifically
to improve the overall efficiency of DC/DC converters using
either synchronous or conventional switching PWM
controllers. It has been optimized for low gate charge, fast
switching speed and extremely low rDS(on).
Application
„ DC/DC converter
„ Backlight inverter
D
G
MOSFET Maximum Ratings TC = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
VDS Drain to Source Voltage
VGS Gate to Source Voltage
Drain Current -Continuous @TC=25°C
ID -Continuous @TA=25°C
-Pulsed
EAS
PD
TJ, TSTG
Single Pulse Avalanche Energy
Power Dissipation
Operating and Storage Temperature
Thermal Characteristics
(Note 1)
(Note 2)
RθJC
Thermal Resistance, Junction to Case
RθJA
Thermal Resistance, Junction to Ambient
RθJA
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
FDD8451
Device
FDD8451
Package
D-PAK(TO-252)
Reel Size
13’’
S
Ratings
40
±20
28
9
78
20
37
-55 to 150
Units
V
V
A
mJ
W
°C
4.1 °C/W
40 °C/W
96 °C/W
Tape Width
12mm
Quantity
2500 units
©2006 Fairchild Semiconductor Corporation
FDD8451 Rev. B
1
www.fairchildsemi.com




FDD8451 pdf, 반도체, 판매, 대치품
Typical Characteristics TJ = 25°C unless otherwise noted
10
8
6
4
2
0
0
VDD = 15V
VDD = 20V
VDD = 25V
4 8 12
Qg, GATE CHARGE(nC)
16
3000
1000
Ciss
Coss
100
Crss
f = 1MHz
VGS = 0V
10
0.1
1 10
VDS, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
40
Figure 7. Gate Charge Characteristics
Figure 8. Capacitance vs Drain to Source Voltage
100
TJ = 25oC
10 TJ = 125oC
TJ = 150oC
1
1E-3
0.01 0.1 1 10
tAV, TIME IN AVALANCHE(ms)
100
Figure 9. Unclamped Inductive Switching
Capability
30
25
20 VGS = 10V
15
VGS =4.5V
10
5
0 RθJC = 4.1oC/W
40 60 80 100 120 140 160 175
TC, CASE TEMPERATURE(oC)
Figure 10. Maximum Continuous Drain Current vs
Case Temperature
100
100us
10
LIMITED BY
PACKAGE
1ms
1
OPERATION IN THIS
AREA MAY BE
10ms
LIMITED BY rDS(on)
SINGLE PULSE
100ms
TJ = MAX RATED
DC
0.1 TC = 25OC
1 10 80
VDS, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Forward Bias Safe Operating Area
10000
VGS = 10V
1000
100
TC = 25oC
FOR TEMPERATURES
ABOVE 25oC DERATE PEAK
CURRENT AS FOLLOWS:
I = I25
1----7---51----5---0---T---C--
SINGLE PULSE
10
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
100
101
t, PULSE WIDTH (s)
Figure 12. Single Pulse Maximum Power
Dissipation
FDD8451 Rev. B
4 www.fairchildsemi.com

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