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IRL1404ZS 데이터시트 PDF




International Rectifier에서 제조한 전자 부품 IRL1404ZS은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 IRL1404ZS 자료 제공

부품번호 IRL1404ZS 기능
기능 AUTOMOTIVE MOSFET
제조업체 International Rectifier
로고 International Rectifier 로고


IRL1404ZS 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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IRL1404ZS 데이터시트, 핀배열, 회로
www.DataSheet4U.com
PD - 94804A
AUTOMOTIVE MOSFET
IRL1404Z
IRL1404ZS
Features
l Logic Level
l Advanced Process Technology
l Ultra Low On-Resistance
l 175°C Operating Temperature
l Fast Switching
l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
Description
Specifically designed for Automotive applications,
this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest
processing techniques to achieve extremely low
on-resistance per silicon area. Additional features
of this design are a 175°C junction operating
temperature, fast switching speed and improved
repetitive avalanche rating . These features com-
bine to make this design an extremely efficient and
reliable device for use in Automotive applications
and a wide variety of other applications.
IRL1404ZL
HEXFET® Power MOSFET
D VDSS = 40V
RDS(on) = 3.1mW
G
ID = 75A
S
TO-220AB
IRL1404Z
D2Pak
IRL1404ZS
TO-262
IRL1404ZL
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IRL1404ZS pdf, 반도체, 판매, 대치품
IRL1404Z/S/L

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Fig 5. Typical Capacitance vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 6. Typical Gate Charge vs.
Gate-to-Source Voltage


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Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
4
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com

4페이지










IRL1404ZS 전자부품, 판매, 대치품
IRL1404Z/S/L

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Fig 15. Typical Avalanche Current vs.Pulsewidth
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TOP
Single Pulse
BOTTOM 1% Duty Cycle
ID = 75A

      
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Fig 16. Maximum Avalanche Energy
vs. Temperature
www.irf.com
Notes on Repetitive Avalanche Curves , Figures 15, 16:
(For further info, see AN-1005 at www.irf.com)
1. Avalanche failures assumption:
Purely a thermal phenomenon and failure occurs at a
temperature far in excess of Tjmax. This is validated for
every part type.
2. Safe operation in Avalanche is allowed as long asTjmax is
not exceeded.
3. Equation below based on circuit and waveforms shown in
Figures 12a, 12b.
4. PD (ave) = Average power dissipation per single
avalanche pulse.
5. BV = Rated breakdown voltage (1.3 factor accounts for
voltage increase during avalanche).
6. Iav = Allowable avalanche current.
7. DT = Allowable rise in junction temperature, not to exceed
Tjmax (assumed as 25°C in Figure 15, 16).
tav = Average time in avalanche.
D = Duty cycle in avalanche = tav ·f
ZthJC(D, tav) = Transient thermal resistance, see figure 11)
PD (ave) = 1/2 ( 1.3·BV·Iav) = DT/ ZthJC
Iav = 2DT/ [1.3·BV·Zth]
EAS (AR) = PD (ave)·tav
7

7페이지


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