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부품번호 | AT12020-21 기능 |
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기능 | SILICON ABRUPT VARACTOR DIODE | ||
제조업체 | Advanced Semiconductor | ||
로고 | |||
www.DataSheet4U.com
AT12020-21
SILICON ABRUPT VARACTOR DIODE
DESCRIPTION:
The AT12020-21 is Designed for High
Performance RF and Microwave
Applications Requiring an Abrupt
Variable Capacitance Characteristic.
FEATURES INCLUDE:
• High Tuning Ratio, ∆CT = 10 MIN.
• High Quality Factor, Q = 300 MIN.
• Hermetic Package, CP = .20 pF
LS = .42 nH
PACKAGE STYLE 21
MAXIMUM RATINGS
IF 200 mA
VR
PDISS
TJ
TSTG
θJC
120 V
1.75W @ TC 25 OC
-55 OC to +150 OC
-55 OC to +150 OC
70 OC/W
NONE
CHARACTERISTICS TC = 25 OC
SYMBOL
TEST CONDITIONS
VR IR = 10 µA
VF IF = 1 mA
IR VR = 100 V
CT VR = 4 V
f = 1.0 MHz
∆CT
CT0/ CT120
f = 1.0 MHz
Q VR = 4 V
f = 50 MHz
RS IF = 10 mA
f = 2400 MHz
MINIMUM TYPICAL
120
36 38
10.0
300
MAXIM
1.0
100
40
0.9
UNITS
V
V
µA
pF
---
---
Ω
A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.
7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1200 • FAX (818) 765-3004
Specifications are subject to change without notice.
REV. A
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
AT12020-21 | SILICON ABRUPT VARACTOR DIODE | Advanced Semiconductor |
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