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IRLU3715ZPBF 데이터시트 PDF




International Rectifier에서 제조한 전자 부품 IRLU3715ZPBF은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 IRLU3715ZPBF 자료 제공

부품번호 IRLU3715ZPBF 기능
기능 HEXFET Power MOSFET
제조업체 International Rectifier
로고 International Rectifier 로고


IRLU3715ZPBF 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 11 페이지수

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IRLU3715ZPBF 데이터시트, 핀배열, 회로
www.DataSheet4U.com
Applications
l High Frequency Synchronous Buck
Converters for Computer Processor Power
l High Frequency Isolated DC-DC
Converters with Synchronous Rectification
for Telecom and Industrial Use
l Lead-Free
Benefits
l Ultra-Low Gate Impedance
l Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
PD - 95088A
IRLR3715ZPbF
IRLU3715ZPbF
HEXFET® Power MOSFET
VDSS RDS(on) max Qg
:20V 11m
7.2nC
D-Pak
IRLR3715Z
I-Pak
IRLU3715Z
Absolute Maximum Ratings
Parameter
VDS Drain-to-Source Voltage
VGS
ID @ TC = 25°C
ID @ TC = 100°C
IDM
PD @TC = 25°C
PD @TC = 100°C
Gate-to-Source Voltage
Continuous Drain Current, VGS @ 10V
Continuous Drain Current, VGS @ 10V
™Pulsed Drain Current
Maximum Power Dissipation
Maximum Power Dissipation
TJ
TSTG
Linear Derating Factor
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
Thermal Resistance
Parameter
RθJC
Junction-to-Case
RθJA Junction-to-Ambient (PCB Mount)
RθJA Junction-to-Ambient
Notes  through … are on page 11
www.irf.com
Max.
20
± 20
49f
35f
200
40
20
0.27
-55 to + 175
300 (1.6mm from case)
Typ.
–––
–––
–––
Max.
3.75
50
110
Units
V
A
W
W/°C
°C
Units
°C/W
1
12/7/04




IRLU3715ZPBF pdf, 반도체, 판매, 대치품
IRLR/U3715ZPbF
10000
1000
100
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
Ciss
Coss
Crss
10
1
10
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance vs.
Drain-to-Source Voltage
100
6.0
ID= 12A
5.0
4.0
VDS= 16V
VDS= 10V
3.0
2.0
1.0
0.0
0
2468
QG Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge vs.
Gate-to-Source Voltage
10
1000.00
100.00
10.00
TJ = 175°C
1.00
TJ = 25°C
VGS = 0V
0.10
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
VSD, Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
4
1000
100
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY R DS(on)
10 100µsec
1msec
1
Tc = 25°C
Tj = 175°C
Single Pulse
0.1
1
10msec
10
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
100
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com

4페이지










IRLU3715ZPBF 전자부품, 판매, 대치품
IRLR/U3715ZPbF
+
‚
-

RG
D.U.T +
Driver Gate Drive
P.W.
Period
D=
P.W.
Period
ƒ Circuit Layout Considerations
Low Stray Inductance
-
Ground Plane
Low Leakage Inductance
Current Transformer
-„ +
D.U.T. ISD Waveform
Reverse
Recovery
Current
Body Diode Forward
Current
di/dt
D.U.T. VDS Waveform
Diode Recovery
dv/dt
dv/dt controlled by RG
Driver same type as D.U.T.
VDD
+
ISD controlled by Duty Factor "D"
D.U.T. - Device Under Test
-
Re-Applied
Voltage
Body Diode
Inductor Curent
Forward Drop
Ripple 5%
* VGS = 5V for Logic Level Devices
Fig 15. Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit for N-Channel
HEXFET® Power MOSFETs
*VGS=10V
VDD
ISD
Id
Vds
Vgs
Vgs(th)
www.irf.com
Qgs1 Qgs2 Qgd
Qgodr
Fig 16. Gate Charge Waveform
7

7페이지


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