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MWI150-06A8 데이터시트 PDF




IXYS Corporation에서 제조한 전자 부품 MWI150-06A8은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 MWI150-06A8 자료 제공

부품번호 MWI150-06A8 기능
기능 IGBT Modules
제조업체 IXYS Corporation
로고 IXYS Corporation 로고


MWI150-06A8 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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MWI150-06A8 데이터시트, 핀배열, 회로
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MWI 150-06 A8
IGBT Modules
Sixpack
Short Circuit SOA Capability
Square RBSOA
IC25 = 170 A
VCES
= 600 V
VCE(sat) typ. = 2.0 V
Preliminary data
13, 21
1
2
3
4
14, 20
59
6 10
7 11
8 12
19
17
15
IGBTs
Symbol
VCES
VGES
IC25
IC80
RBSOA
t
SC
(SCSOA)
Ptot
Conditions
Maximum Ratings
TVJ = 25°C to 150°C
600 V
± 20 V
TC = 25°C
TC = 80°C
170
115
VGE = ±15 V; RG = 1.5 ; TVJ = 125°C
Clamped inductive load; L = 100 µH
ICM = 300
VCEK VCES
V
CE
=
V;
CES
VGE
=
±15
V;
R
G
=
1.5
;
TVJ
=
125°C
non-repetitive
10
A
A
A
µs
TC = 25°C
515 W
Symbol
VCE(sat)
V
GE(th)
ICES
IGES
t
d(on)
tr
td(off)
tf
Eon
Eoff
Cies
QGon
R
thJC
Conditions
Characteristic Values
(TVJ = 25°C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
IC = 150 A; VGE = 15 V; TVJ = 25°C
TVJ = 125°C
I = 3 mA; V = V
C GE CE
VCE = VCES; VGE = 0 V; TVJ = 25°C
TVJ = 125°C
VCE = 0 V; VGE = ± 20 V
Inductive load, TVJ = 125°C
VCE = 300 V; IC = 150 A
V
GE
=
±15
V;
R
G
=
1.5
2.0 2.5 V
2.3 V
4.5 6.5 V
1.5 mA
1.1 mA
400 nA
125 ns
30 ns
225 ns
35 ns
2.3 mJ
4.6 mJ
VCE = 25 V; VGE = 0 V; f = 1 MHz
VCE = 300V; VGE = 15 V; IC = 150 A
(per IGBT)
6.5 nF
520 nC
0.24 K/W
Features
NPT IGBT technology
low saturation voltage
low switching losses
switching frequency up to 30 kHz
square RBSOA, no latch up
high short circuit capability
positive temperature coefficient for
easy parallelling
MOS input, voltage controlled
ultra fast free wheeling diodes
solderable pins for PCB mounting
package with copper base plate
Advantages
space savings
reduced protection circuits
package designed for wave soldering
Typical Applications
AC motor control
AC servo and robot drives
power supplies
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
© 2003 IXYS All rights reserved
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