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부품번호 | BLV108 기능 |
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기능 | Vertical N-channel MOSFET | ||
제조업체 | SHANGHAI BELLING | ||
로고 | |||
www.DataSheet4U.com
BLV108
N 沟纵向 MOSFET
描述:
N 沟增强型 VDMOS,高速开关,无二次击穿
产品应用:
电话机电路
继电器电路
驱动电路等
工作条件 (T=25℃)
符号
参数
VDSS 漏源电压
VGSS 栅源电压
ID 漏电流
PD
Tj, TSDG
热特性
Power Dissipation for Dual Operation
结温度和存储温度
Rth j-a
Thermal Resistance, Junction to Ambient
极限值
200
+ 20
300
1
-55 to +150
单位
V
V
mA
W
oC
125 K/W
电学特性 TA=25oC
符号
参数
BVDSS 源漏击穿电压
I DSS 零栅压时的漏极电流
I GSS 栅和衬底之间的漏电流
VGS (th) 阈值电压
RDS (on) 导通电阻
测试条件
最小 典型 最大 单位
VGS = 0V , I D = 10uA
200
V
VDS = 160V ,VGS = 0V
1 uA
VGS = ±20V ,VDS = 0V
+100 nA
VDS = VGS , I D = 1mA
0.4
1.8 V
VGS = 2.8V , I D = 100mA
5Ω
http://www.belling.com.cn
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8/18/2006
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
BLV10 | VHF power transistor | NXP Semiconductors |
BLV10 | VHF power transistor | New Jersey Semiconductor |
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