Datasheet.kr   

BUK9735-55A 데이터시트 PDF




NXP Semiconductors에서 제조한 전자 부품 BUK9735-55A은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 BUK9735-55A 자료 제공

부품번호 BUK9735-55A 기능
기능 N-channel TrenchMOS logic level FET
제조업체 NXP Semiconductors
로고 NXP Semiconductors 로고


BUK9735-55A 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 12 페이지수

미리보기를 사용할 수 없습니다

BUK9735-55A 데이터시트, 핀배열, 회로
www.DataSheet4U.com
BUK9735-55A
N-channel TrenchMOS™ logic level FET
Rev. 02 — 10 June 2004
M3D308
Product data
1. Description
N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package using
TrenchMOS™1 technology, featuring very low on-state resistance.
Product availability:
BUK9735-55A in SOT186A (TO-220F).
2. Features
s TrenchMOS™ technology
s Q101 compliant
s 150 °C rated
s Logic level compatible.
3. Applications
s Automotive and general purpose power switching:
x 12 V and 24 V loads
x Motors, lamps and solenoids.
4. Pinning information
Table 1: Pinning - SOT186A, simplified outline and symbol
Pin Description
Simplified outline
1 gate (g)
2 drain (d)
mb
3 source (s)
mb mounting base;
isolated
1 2 3 MBK110
SOT186A (TO-220F)
Symbol
d
g
mbb076
s
1. TrenchMOS is a trademark of Koninklijke Philips Electronics N.V.




BUK9735-55A pdf, 반도체, 판매, 대치품
Philips Semiconductors
BUK9735-55A
N-channel TrenchMOS™ logic level FET
7. Thermal characteristics
Table 4: Thermal characteristics
Symbol Parameter
Conditions
Rth(j-mb) thermal resistance from junction to
mounting base
Figure 4
Rth(j-a) thermal resistance from junction to ambient vertical in still air
7.1 Transient thermal impedance
Min Typ Max Unit
- - 5 K/W
- 55 - K/W
10
Zth(j-mb)
(K/W)
δ = 0.5
1 0.2
0.1
0.05
10-1 0.02
10-2
10-6
Single Shot
10-5
10-4
10-3
03ne05
P
δ
=
tp
T
10-2
tp
T
t
10-1
tp (s)
1
Fig 4. Transient thermal impedance from junction to mounting base as a function of pulse duration.
9397 750 13327
Product data
Rev. 02 — 10 June 2004
© Koninklijke Philips Electronics N.V. 2004. All rights reserved.
4 of 12

4페이지










BUK9735-55A 전자부품, 판매, 대치품
Philips Semiconductors
BUK9735-55A
N-channel TrenchMOS™ logic level FET
2.5
VGS(th)
(V)
2
1.5
1
03aa33
max
typ
min
10-1
ID
(A)
10-2
10-3
10-4
03aa36
min typ max
0.5 10-5
0
-60 0 60 120 180
Tj (°C)
10-6
0123
VGS (V)
ID = 1 mA; VDS = VGS
Fig 9. Gate-source threshold voltage as a function of
junction temperature.
Tj = 25 °C; VDS = VGS
Fig 10. Sub-threshold drain current as a function of
gate-source voltage.
25
gfs
(S)
20
03na95
15
10
5
0
0 10 20 30 ID (A) 40
Tj = 25 °C; VDS = 25 V
Fig 11. Forward transconductance as a function of
drain current; typical values.
2500
C
(pF)
2000
1500
1000
Ciss
Coss
Crss
03na98
500
0
10-2
10-1
1
10 102
VDS (V)
VGS = 0 V; f = 1 MHz
Fig 12. Input, output and reverse transfer capacitances
as a function of drain-source voltage; typical
values.
9397 750 13327
Product data
Rev. 02 — 10 June 2004
© Koninklijke Philips Electronics N.V. 2004. All rights reserved.
7 of 12

7페이지


구       성 총 12 페이지수
다운로드[ BUK9735-55A.PDF 데이터시트 ]

당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는

포괄적인 데이터시트를 제공합니다.


구매 문의
일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매
-----------------------------------------------------------------------

IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한
광범위한 전력 반도체를 판매합니다.

전력 반도체 전문업체

상호 : 아이지 인터내셔날

사이트 방문 :     [ 홈페이지 ]     [ 블로그 1 ]     [ 블로그 2 ]



관련 데이터시트

부품번호상세설명 및 기능제조사
BUK9735-55A

N-channel TrenchMOS logic level FET

NXP Semiconductors
NXP Semiconductors

DataSheet.kr       |      2020   |     연락처      |     링크모음      |      검색     |      사이트맵