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AO3700 데이터시트 PDF




Alpha & Omega Semiconductors에서 제조한 전자 부품 AO3700은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 AO3700 자료 제공

부품번호 AO3700 기능
기능 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
제조업체 Alpha & Omega Semiconductors
로고 Alpha & Omega Semiconductors 로고


AO3700 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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AO3700 데이터시트, 핀배열, 회로
www.DataSheet4U.com
AO3700
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
with Schottky Diode
General Description
The AO3700 uses advanced trench technology to provide
excellent R DS(ON) and low gate charge. A Schottky diode is
provided to facilitate the implementation of a bidirectional
blocking switch, or for DC-DC conversion applications.
Standard Product AO3700 is Pb-free (meets ROHS & Sony
259 specifications). AO3700L is a Green Product ordering
option. AO3700 and AO3700L are electrically identical.
Features
VDS (V) = 30V
ID = 3.3A (VGS = 10V)
RDS(ON) < 65m(VGS = 10V)
RDS(ON) < 75m(VGS = 4.5V)
RDS(ON) < 160m(VGS = 2.5V)
SCHOTTKY
VDS (V) = 20V, IF = 1A, VF<[email protected]
SOT-23-5
Top View
G 15 D
S2
A 34 K
G
Absolute Maximum Ratings TA=25°C unless otherwise noted
Parameter
Symbol
Drain-Source Voltage
VDS
Gate-Source Voltage
VGS
Continuous Drain Current A
Pulsed Drain Current B
TA=25°C
TA=70°C
ID
IDM
Schottky reverse voltage
VKA
Continuous Forward Current A
Pulsed Forward Current B
TA=25°C
TA=70°C
IF
IFM
Power Dissipation
TA=25°C
TA=70°C
PD
Junction and Storage Temperature Range
TJ, TSTG
Parameter: Thermal Characteristics MOSFET
Maximum Junction-to-Ambient A
t 10s
Maximum Junction-to-Ambient A
Maximum Junction-to-Lead C
Steady-State
Steady-State
Thermal Characteristics Schottky
Maximum Junction-to-Ambient A
t 10s
Maximum Junction-to-Ambient A
Maximum Junction-to-Lead C
Steady-State
Steady-State
Symbol
RθJA
RθJL
RθJA
RθJL
DK
SA
MOSFET
30
±12
3.3
2.6
10
1.15
0.7
-55 to 150
Typ
80.3
117
43
109.4
136.5
58.5
Schottky
20
2
1
10
0.92
0.59
-55 to 150
Max
110
150
80
135
175
80
Units
V
V
A
V
A
W
°C
Units
°C/W
°C/W
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.




AO3700 pdf, 반도체, 판매, 대치품
AO3700
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
5
VDS=15V
ID=3.3A
4
3
2
1
0
0 1 2 Qg (nC) 3 4 5
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
100.0
TJ(Max)=150°C
TA=25°C
RDS(ON)
limited
10.0
10µs
100µs
1ms
1.0 10ms
1s 0.1s
10s
DC
0.1
0.1 1 10
Figure 9: MaximumVDFS o(Vrwolatrsd) Biased Safe
Operating Area (Note E)
100
400
350
300
250 Ciss
200
150 51
100
50
Crss
60
100
Coss
0
0
20
15
5 10 15 20 25
VDS (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
270
TJ(Max)=150°C
TA=251°.C7
3.6
30
10
5
0 13
0.001 0.01
0.1 1
10
Pulse Width (s)
100 1000
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-to-
Ambient (Note E)
10 D=Ton/T
In descending order
TJ,PK=TA+PDM.ZθJA.RθJA
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
RθJA=110°C/W
1
0.1
0.01
0.00001
Single Pulse
PD
Ton
T
0.0001
0.001
0.01 0.1
Pulse Width (s)
1
10
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
100
1000
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.

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