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H7N1004LM 데이터시트 PDF




Renesas Technology에서 제조한 전자 부품 H7N1004LM은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 H7N1004LM 자료 제공

부품번호 H7N1004LM 기능
기능 (H7N1004xx) Silicon N-Channel MOSFET High-Speed Power Switching
제조업체 Renesas Technology
로고 Renesas Technology 로고


H7N1004LM 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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H7N1004LM 데이터시트, 핀배열, 회로
www.DataSheet4U.com
H7N1004LD, H7N1004LS, H7N1004LM
Silicon N-Channel MOSFET
High-Speed Power Switching
REJ03G0072-0600Z
(Previous ADE-208-1552E(Z))
Rev.6.00
Aug.27.2003
Features
Low on-resistance
RDS(on) = 25 mtyp.
Low drive current
Available for 4.5 V gate drive
Outline
LDPAK
D
4 44
G
S
1
2
3
1
2
3
1
2
H7N1004LS
3
H7N1004LM
H7N1004LD
1. Gate
2. Drain
3. Source
4. Drain
Rev.6.00, Aug.27.2003, page 1 of 11




H7N1004LM pdf, 반도체, 판매, 대치품
H7N1004LD, H7N1004LS, H7N1004LM
Main Characteristics
Power vs. Temperature Derating
80
60
40
20
0 50 100 150 200
Case Temperature Tc (°C)
Maximum Safe Operation Area
200
100
30
10
3
(TPcDW=C=2O15p0°eCmr)1astmi(o1snsh1o0t)0
10
µs
µs
1
0.3 Operation in
this area is
0.1 limited by RDS(on)
Ta = 25°C
0.02
0.1 0.3 1 3 10 30 100
Drain to Source Voltage VDS (V)
Typical Output Characteristics
50
10 V
Pulse Test
6V
40
4V
30
20 3.5 V
10
VGS = 3 V
0 2 4 6 8 10
Drain to Source Voltage V DS (V)
Typical Transfer Characteristics
50
V DS = 10 V
Pulse Test
40
30
20
-25°C
10 25°C
Tc = 75°C
0 12345
Gate to Source Voltage V GS (V)
Rev.6.00, Aug.27.2003, page 4 of 11

4페이지










H7N1004LM 전자부품, 판매, 대치품
H7N1004LD, H7N1004LS, H7N1004LM
Reverse Drain Current vs.
Source to Drain Voltage
50
0, -5 V
VGS = 10 V
40
30
5V
20
10
Pulse Test
0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0
Source Drain Voltage VSD (V)
Maximum Avalanche Energy vs.
Channel Temperature Derating
40
I AP = 15 A
32 V DD = 50 V
duty < 0.1 %
Rg > 50
24
16
8
0
25 50 75 100 125 150
Channel Temperature Tch (°C)
Vin
15 V
Avalanche Test Circuit
V DS
Monitor
Rg
50
L
I AP
Monitor
D. U. T
VDD
Avalanche Waveform
EAR =
1
2
• L • I AP2
VDSS
VDSS – V DD
I AP
ID
V(BR)DSS
VDS
VDD
0
Rev.6.00, Aug.27.2003, page 7 of 11

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