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VAM80 데이터시트 PDF




GHz Technology에서 제조한 전자 부품 VAM80은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 VAM80 자료 제공

부품번호 VAM80 기능
기능 Class AB Defcom
제조업체 GHz Technology
로고 GHz Technology 로고


VAM80 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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VAM80 데이터시트, 핀배열, 회로
www.DataSheet4U.com
VAM 80
80 Watts, 27 Volts, Class AB
Defcom 100 - 150 MHz
GENERAL DESCRIPTION
The VAM 80 is a COMMON EMITTER, specifically designed for collector
modulated operation in the VHF AM applications in the 100-150 MHz range.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Maximum Power Dissipation @ 25oC
85 Watts
Maximum Voltage and Current
BVces Collector to Emiter Voltage
BVebo Emitter to Base Voltage
Ic Collector Current
60 Volts
4.0 Volts
8.5 A
Maximum Temperatures
Storage Temperature
Operating Junction Temperature
- 65 to +150oC
+200oC
CASE OUTLINE
55HT, Style 2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25 OC
SYMBOL CHARACTERISTICS
TEST CONDITIONS
Pout
Pin
Pg
Pout
Pin
Pg
ηc
VSWR
Power Output
Power Input
Power Gain
Efficiency
Load Mismatch Tolerance
F = 150 MHz
Vcc =27V, 1 KHz, 50%
F = 150 MHz
Vcc = 13.5 Volts
Vcc = 13.5V, Po=20W
MIN
80
9.0
20
6.0
TYP
8
10
4.0
7.0
65
MAX UNITS
Watts
10 Watts
dB
Watts
5.0 Watts
dB
%
30:1
BVebo
BVces
BVceo
Cob
hFE
θjc
Emitter to Base Breakdown
Collector to Emitter Breakdown
Collector to Emitter Breakdown
Output Capacitance
DC - Current Gain
Thermal Resistance
Ie = 5 mA
Ic = 20 mA
Ie = 50 mA
Vcb = 28 V, F = 1 MHz
Vce = 5 V, Ic = 1 mA
Issue August 1996
4.0
60
32
10
Volts
Volts
Volts
75 pF
2.0 oC/W
GHz TECHNOLOGY INC. RESERVES THE RIGHT TO MAKE CHANGES WITHOUT FURTHER NOTICE. GHz RECOMMENDS THAT
BEFORE THE PRODUCT(S) DESCRIBED HEREIN ARE WRITTEN INTO SPECIFICATIONS, OR USED IN CRITICAL APPLICATIONS,
THAT THE PERFORMANCE CHARACTERISTICS BE VERIFIED BY CONTACTING THE FACTORY.
GHz Technology Inc. 3000 Oakmead Village Drive, Santa Clara, CA 95051-0808 Tel. 408 / 986-8031 Fax 408 / 986-8120





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