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DIM200PLM33-A000 데이터시트 PDF




Dynex Semiconductor에서 제조한 전자 부품 DIM200PLM33-A000은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 DIM200PLM33-A000 자료 제공

부품번호 DIM200PLM33-A000 기능
기능 Igbt Modules - Chopper
제조업체 Dynex Semiconductor
로고 Dynex Semiconductor 로고


DIM200PLM33-A000 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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DIM200PLM33-A000 데이터시트, 핀배열, 회로
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DIM200PLM33-A000
Replaces issue April 2003, version DS5597-1.1
DIM200PLM33-A000
IGBT Chopper Module
Preliminary Information
DS5597-2.0 May 2003
FEATURES
I 10µs Short Circuit Withstand
I High Thermal Cycling Capability
I Non Punch Through Silicon
I Isolated MMC Base with AlN Substrates
KEY PARAMETERS
VCES
VCE(sat) *
IC
IC(PK)
(typ)
(max)
(max)
3300V
3.2V
200A
400A
*(measured at the power busbars and not the auxiliary terminals)
APPLICATIONS
I Choppers
I Traction Auxiliaries
The Powerline range of high power modules includes half
bridge, chopper, dual, single and bi-directional switch
configurations covering voltages from 600V to 3300V and
currents up to 2400A.
The DIM200PLM33-A000 is a 3300V, n channel
enhancement mode insulated gate bipolar transistor (IGBT)
chopper module configured with the lower arm of the bridge
controlled. The IGBT has a wide reverse bias safe operating
area (RBSOA) plus full 10µs short circuit withstand. This device
is optimised for applications requiring high thermal cycling
capability.
The module incorporates an electrically isolated base plate
and low inductance construction enabling circuit designers to
optimise circuit layouts and utilise grounded heat sinks for safety.
1(A/C2)
2(K)
8(C2)
3(E2)
7(E2)
6(G2)
Fig. 1 Chopper circuit diagram - lower arm control
ORDERING INFORMATION
Order As:
DIM200PLM33-A000
Note: When ordering, please use the whole part number.
Outline type code: P
(See package details for further information)
Fig. 2 Electrical connections - (not to scale)
Caution: This device is sensitive to electrostatic discharge. Users should follow ESD handling procedures.
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DIM200PLM33-A000 pdf, 반도체, 판매, 대치품
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DIM200PLM33-A000
ELECTRICAL CHARACTERISTICS - IGBT ARM
Tcase = 25˚C unless stated otherwise
Symbol
Parameter
Test Conditions
td(off)
t
f
EOFF
td(on)
tr
EON
Q
g
Qrr
Irr
EREC
Turn-off delay time
Fall time
Turn-off energy loss
Turn-on delay time
Rise time
Turn-on energy loss
Gate charge
Diode reverse recovery charge
Diode reverse current
Diode reverse recovery energy
IC = 200A
V
GE
=
±15V
VCE = 1800V
RG(ON) = RG(OFF) =10
C = 33nF
ge
L ~ 100nH
IF = 200A, VR = 1800V,
dI /dt
F
=
1100A/µs
Tcase = 125˚C unless stated otherwise
Symbol
Parameter
td(off)
t
f
EOFF
td(on)
tr
EON
Q
rr
Irr
EREC
Turn-off delay time
Fall time
Turn-off energy loss
Turn-on delay time
Rise time
Turn-on energy loss
Diode reverse recovery charge
Diode reverse current
Diode reverse recovery energy
Test Conditions
IC = 200A
VGE = ±15V
VCE = 1800V
RG(ON) = RG(OFF) =10
C = 33nF
ge
L ~ 100nH
IF = 200A, VR = 1800V,
dIF/dt = 1000A/µs
Min. Typ. Max. Units
- 1300 -
ns
- 200 - ns
- 170 - mJ
- 640 - ns
- 250 - ns
- 290 - mJ
- 6 - µC
- 115 - µC
- 165 -
A
- 130 - mJ
Min. Typ. Max. Units
- 1600 -
ns
- 250 - ns
- 240 - mJ
- 640 - ns
- 300 - ns
- 420 - mJ
- 190 - µC
- 185 -
A
- 220 - mJ
4/6 Caution: This device is sensitive to electrostatic discharge. Users should follow ESD handling procedures.
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