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NID5004N 데이터시트 PDF




ON Semiconductor에서 제조한 전자 부품 NID5004N은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 NID5004N 자료 제공

부품번호 NID5004N 기능
기능 Self-Protected FET
제조업체 ON Semiconductor
로고 ON Semiconductor 로고


NID5004N 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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NID5004N 데이터시트, 핀배열, 회로
www.DataSheet4U.com
NID5004N
Self−Protected FET
with Temperature and
Current Limit
40 V, 6.5 A, Single NChannel, DPAK
Self–protected FETs are a series of power MOSFETs which utilize
ON Semiconductor HDPlust technology. The self–protected
MOSFET incorporates protection features such as integrated thermal
and current limits. The selfprotected MOSFETs include an integrated
DraintoGate Clamp that provides overvoltage protection from
transients and avalanche. The device is protected from Electrostatic
Discharge (ESD) by utilizing an integrated GatetoSource Clamp.
Features
Short Circuit Protection
In Rush Current Limit
Thermal Shutdown with Automatic Restart
Avalanche Rated
Overvoltage Protection
ESD Protection (4 kV HBM)
Controlled Slew Rate for Low Noise Switching
AEC Q101 Qualified
This is a PbFree Device
Applications
Solenoid Driver
Relay Driver
Small Motors
Lighting
Relay Replacement
Load Switching
http://onsemi.com
VDSS
(Clamped)
40 V
RDS(on) Typ
110 mW @ 10 V
ID Typ
(Limited)
6.5 A
Drain
Gate
Input
Overvoltage
RG Protection
ESD Protection
Temperature Current Current
Limit
Limit
Sense
DPAK
CASE 369C
STYLE 2
Source
MARKING
DIAGRAM
1 YYW
2 D5
3 004NG
D5004N = Device Code
Y = Year
WW = Work Week
G = PbFree Device
1 = Gate
2 = Drain
3 = Source
ORDERING INFORMATION
Device
Package
Shipping
NID5004NT4G
DPAK 2500/Tape & Reel
(PbFree)
†For information on tape and reel specifications,
including part orientation and tape sizes, please
refer to our Tape and Reel Packaging Specification
Brochure, BRD8011/D.
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2006
April, 2006 Rev. 1
1
Publication Order Number:
NID5004N/D




NID5004N pdf, 반도체, 판매, 대치품
NID5004N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
12 6
TJ = 25°C
TJ = 55°C
10
5.0 V
5
8
10 V
4
TJ = 25°C
TJ = 100°C
6
4.0 V
3
4
3.5 V
2
2 VGS = 3.0 V
0
0 5.0 10 15 20
VDS, DRAINTOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. OnRegion Characteristics
1
0
0 1 2 3 45
VGS, GATETOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.15
0.14
ID = 2 A
TJ = 25°C
0.15
0.14
TJ = 25°C
0.13
0.12
0.13
0.12
VGS = 5 V
0.11
0.10
3.0 4.0
5.0 6.0
7.0 8.0 9.0
10
VGS, GATETOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 3. OnResistance vs. GatetoSource
Voltage
0.11
VGS = 10 V
0.10
2.0 2.2 2.4 2.6 2.8 3.0 3.2 3.4 3.6 3.8 4.0
ID, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. OnResistance vs. Drain Current
1.6
1.4
ID = 3.75 A
VGS = 10 V
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
55
35 15 5 25 45 65 85
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Figure 5. OnResistance Variation with
Temperature
1E03
8E04
TJ = 100°C
6E04
4E04
2E04
0E+00
0 5.0 10 15 20 25 30 35 40 45
IDSS, LEAKAGE (A)
Figure 6. DraintoSource Leakage Current
vs. Voltage
http://onsemi.com
4

4페이지












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