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PBSS3540E 데이터시트 PDF




NXP Semiconductors에서 제조한 전자 부품 PBSS3540E은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 PBSS3540E 자료 제공

부품번호 PBSS3540E 기능
기능 PNP low VCEsat (BISS) transistor
제조업체 NXP Semiconductors
로고 NXP Semiconductors 로고


PBSS3540E 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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PBSS3540E 데이터시트, 핀배열, 회로
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PBSS3540E
40 V, 500 mA PNP low VCEsat (BISS) transistor
Rev. 01 — 3 May 2005
Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description
PNP low VCEsat Breakthrough in Small Signal (BISS) transistor in a SOT416 (SC-75) SMD
plastic package.
NPN complement: PBSS2540E.
1.2 Features
s Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
s High collector current capability: IC and ICM
s High collector current gain (hFE) at high IC
s High efficiency due to less heat generation
s Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors
1.3 Applications
s DC-to-DC conversion
s MOSFET gate driving
s Motor control
s Charging circuits
s Low power switches (e.g. motors, fans)
1.4 Quick reference data
Table 1: Quick reference data
Symbol Parameter
VCEO
IC
ICM
RCEsat
collector-emitter voltage
collector current (DC)
peak collector current
collector-emitter
saturation resistance
[1] Pulse test: tp 300 µs; δ ≤ 0.02.
Conditions
open base
IC = 500 mA;
IB = 50 mA
Min Typ Max
Unit
- - 40 V
- - 500 mA
- - 1 A
[1] -
440 700
m




PBSS3540E pdf, 반도체, 판매, 대치품
Philips Semiconductors
PBSS3540E
40 V, 500 mA PNP low VCEsat (BISS) transistor
6. Thermal characteristics
Table 6:
Symbol
Rth(j-a)
Thermal characteristics
Parameter
thermal resistance from
junction to ambient
Conditions
in free air
Min Typ Max Unit
[1] - - 833 K/W
[2] - - 500 K/W
[1] Device mounted on an FR4 PCB, single-sided copper, tin-plated and standard footprint.
[2] Device mounted on an FR4 PCB, single-sided copper, tin-plated, mounting pad for collector 1 cm2.
103
Zth(j-a)
(K/W)
102
duty cycle =
1
0.75
0.5
0.33
0.2
0.1
0.05
0.02
10 0.01
006aaa413
0
1
105
104
103
102
101
1
10 102 103
tp (s)
FR4 PCB, mounting pad for collector 1 cm2
Fig 2. Transient thermal impedance from junction to ambient as a function of pulse time; typical values
9397 750 15062
Product data sheet
Rev. 01 — 3 May 2005
© Koninklijke Philips Electronics N.V. 2005. All rights reserved.
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PBSS3540E 전자부품, 판매, 대치품
Philips Semiconductors
PBSS3540E
40 V, 500 mA PNP low VCEsat (BISS) transistor
1.1
VBEsat
(V)
0.9
0.7
0.5
0.3
006aaa392
(1)
(2)
(3)
103
RCEsat
()
102
10
1
006aaa393
(1)
(2)
(3)
0.1
101
1
10
102
103
IC (mA)
101
101
1
10
102
103
IC (mA)
IC/IB = 20
(1) Tamb = 55 °C
(2) Tamb = 25 °C
(3) Tamb = 100 °C
Fig 7. Base-emitter saturation voltage as a function of
collector current; typical values
IC/IB = 20
(1) Tamb = 100 °C
(2) Tamb = 25 °C
(3) Tamb = 55 °C
Fig 8. Collector-emitter saturation resistance as a
function of collector current; typical values
1
IC
(A)
0.8
IB (mA) = 30
27
24
21
18
0.6
0.4
0.2
006aaa394
15
12
9
6
3
103
RCEsat
()
102
10
1
006aaa395
(1)
(2)
(3)
0
0 1 2 3 4 5
VCE (V)
Tamb = 25 °C
Fig 9. Collector current as a function of
collector-emitter voltage; typical values
101
101
1
10
102
103
IC (mA)
Tamb = 25 °C
(1) IC/IB = 100
(2) IC/IB = 50
(3) IC/IB = 10
Fig 10. Collector-emitter saturation resistance as a
function of collector current; typical values
9397 750 15062
Product data sheet
Rev. 01 — 3 May 2005
© Koninklijke Philips Electronics N.V. 2005. All rights reserved.
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