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BRF610 데이터시트 PDF




Bipolarics에서 제조한 전자 부품 BRF610은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 BRF610 자료 제공

부품번호 BRF610 기능
기능 NPN LOW NOISE SILICON MICROWAVE TRANSISTOR
제조업체 Bipolarics
로고 Bipolarics 로고


BRF610 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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BRF610 데이터시트, 핀배열, 회로
www.DataSheet4U.com
BIPOLARICS, INC.
Part Number BRF610
NPN LOW NOISE SILICON MICROWAVE TRANSISTOR
PRODUCT DATA SHEET
FEATURES:
High Gain Bandwidth Product
ft = 12 GHz typ @ IC = 10 mA
Low Noise Figure
1.6 dB typ at 1 GHz
2.0 dB typ at 2 GHz
High Gain
|S21|2 = 18.1 dB @ 1 GHz
12.8 dB @ 2 GHz
Dice, Plastic, Hermetic and Surface
Mount packages available
PERFORMANCE DATA:
Electrical Characteristics (TA = 25oC)
DESCRIPTION AND APPLICATIONS:
Bipolarics' BRF610is a high performance silicon bipolar
transistor intended for use in low noise application at VHF,
UHF and microwave frequencies. High performance low
noise performance can be realized at 2 mA or less making the
BRF610an excellent choice for battery applications. From 10
mA to greater than 20mA, ft is nominally 10 GHz. Maximum
recommended continuous current is 20 mA. A broad range of
packages are offered including SOT-23, SOT-143, plastic and
ceramic 0.085" Micro-X, 0.070" Stripline and unencapsulated
dice.
Absolute Maximum Ratings:
SYMBOL
PARAMETERS
RATING
VCBO
VCEO
VEBO
IC CONT
TJ
TSTG
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Junction Temperature
Storage Temperature
9
7
1.5
20
200
-65 to 150
UNITS
V
V
V
mA
oC
oC
SYMBOL
ft
|S 21 | 2
PARAMETERS & CONDITIONS
VCE =8V, IC = 10 mA unless stated
Gain Bandwidth Product
Insertion Power Gain:
f = 1.0 GHz
f = 2.0 GHz
UNIT
GHz
MIN.
TYP.
MAX.
12
18.1
12.8
P1d B
G1d B
NF
hFE
ICBO
IEBO
CCB
Power output at 1dB compression:
Gain at 1dB compression:
f = 1.0 GHz
f = 1.0 GHz
Noise Figure: VCE =8V, IC = 2mA
Forward Current Transfer Ratio:
VCE = 8V, IC = 10 mA
f = 1.0 GHz
ZS = 50
f = 1MHz
Collector Cutoff Current : VCB =8V
0.2
Emitter Cutoff Current : VEB =1V
Collector Base Capacitance: VCB = 8V
f = 1MHz
dBm
dBm
dB
50
µA
µA
pF
12
15
1.6
100
0.11
250
1.0




BRF610 pdf, 반도체, 판매, 대치품
BIPOLARICS, INC.
PAGE 4
Part Number BRF610
NPN LOW NOISE SILICON MICROWAVE TRANSISTOR
BRF61035
Package Style 35: Micro-X 0.085" Ceramic
LEAD 1 2 3 4
Package Style
Base Emitter Collector Emitter
14, 85, 35 & 10
BIPOLARICS, INC.
46766 Lakeview Blvd.
Fremont, CA 94538
Phone: (510)226-6565 FAX: (510) 226-6765
NOTES: (unless otherwise specified)
1.
2.
Dimensions
Tolerances:
are
in
(mm)
in .xxx = ± .005
mm .xx = ± .13
3. All dimensions nominal; subject to change
without notice

4페이지












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