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부품번호 | RDX045N60 기능 |
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기능 | 10V Drive Nch MOS FET | ||
제조업체 | ROHM Semiconductor | ||
로고 | |||
전체 3 페이지수
www.DataSheet4U.com
Transistors
10V Drive Nch MOS FET
RDX045N60
RDX045N60
zStructure
Silicon N-channel MOS FET
zFeatures
1) Low on-resistance.
2) Low input capacitance.
3) Excellent resistance to damage from static electricity.
zApplications
Switching
zPackaging specifications
Package
Type
Code
Basic ordering unit (pieces)
RDX045N60
Bulk
−
500
zExternal dimensions (Unit : mm)
TO-220FM
10.0 φ3.2
4.5
2.8
(1)Gate
(2)Drain
(3)Source
1.2
1.3
0.8
2.54 2.54
(1) (2) (3)
0.75
2.6
zInner circuit
∗1
∗2
(1) (2)
(3)
∗1 GATE PROTECTION DIODE
∗2 BODY DIODE
(1) Gate
(2) Drain
(3) Source
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)
Parameter
Symbol
Limits
Drain-source voltage
VDSS
600
Gate-source voltage
Drain current
Continuous
Pulsed
VGSS
ID ∗1
IDP ∗2
±30
±4.5
±18
Source current
(Body diode)
Avalanche current
Avalanche energy
Continuous
Pulsed
IS
ISP
IAS
EAS
∗2
∗3
∗4
4.5
18
4.5
40
Total power dissipation (Tc=25°C)
PD 35
Channel temperature
Tch 150
Range of storage temperature
Tstg −55 to +150
∗1 Limited only by maximum temperature allowed ∗2 Pw 10µs, Duty cycle 1%
∗3 L = 3.4mH VDD=90V Rg=25Ω ∗4 L = 3.4mH VDD=90V Rg=25Ω starting Tch=25°C
zThermal resistance
Parameter
Channel to case
Symbol
Rth(ch-c)
Limits
3.57
Unit
V
V
A
A
A
A
A
mJ
W
°C
°C
Unit
°C/W
1/2
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구 성 | 총 3 페이지수 | ||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
RDX045N60 | 10V Drive Nch MOS FET | ROHM Semiconductor |
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