|
|
|
부품번호 | ZX5T953Z 기능 |
|
|
기능 | PNP LOW SATURATION MEDIUM POWER TRANSISTOR | ||
제조업체 | Zetex Semiconductors | ||
로고 | |||
전체 6 페이지수
www.DataSheet4U.com
ZX5T953Z
100V PNP LOW SATURATION MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT89
SUMMARY
BVCEO = -100V : RSAT = 57m ; IC = -3.5A
DESCRIPTION
Packaged in the SOT89 outline this new 5th generation low saturation 100V
PNP transistor offers low on state losses making it ideal for use in DC-DC
circuits, line switching and various driving and power management functions.
FEATURES
• 3.5 amps continuous current
• Up to 10 amps peak current
• Very low saturation voltages
APPLICATIONS
• Motor driving
• Line switching
• High side switches
• Subscriber line interface cards (SLIC)
SOT89
ORDERING INFORMATION
DEVICE
ZX5T953ZTA
REEL TAPE WIDTH
SIZE
7" 12mm
embossed
QUANTITY PER
REEL
1000 units
PINOUT
DEVICE MARKING
• 953
VIEW
ISSUE 1 - DECEMBER 2004
1
ZX5T953Z
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25°C unless otherwise stated)
PARAMETER
SYMBOL MIN. TYP. MAX. UNIT CONDITIONS
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cut-off current
Collector cut-off current
Emitter cut-off current
Collector-emitter saturation voltage
Base-emitter saturation voltage
Base-emitter turn on voltage
Static forward current transfer ratio
Transition frequency
BVCBO
BVCER
BVCEO
BVEBO
ICBO
ICER
RՅ1k⍀
IEBO
VCE(SAT)
VBE(SAT)
VBE(ON)
hFE
fT
-140
-140
-100
-7
100
100
25
15
-160
-160
-115
-8.1
Ͻ1
Ͻ1
Ͻ1
-20
-65
-110
-230
-970
-910
250
200
50
30
5
125
-20
-0.5
-20
-0.5
-10
-30
-85
-135
-300
-1060
-1030
300
V IC = -100A
V IC = -1A, RB Յ 1k⍀
V IC = -10mA*
V IE = -100A
nA VCB = -100V
A VCB = -100V, Tamb=100ЊC
nA VCB = -100V
A VCB = -100V, Tamb=100ЊC
nA VEB = -6V
mV IC = -0.1A, IB = -10mA*
mV IC = -1A, IB = -100mA*
mV IC = -2A, IB = -200mA*
mV IC = -4A, IB = -400mA*
mV IC = -4A, IB = -400mA*
mV IC = -4A, VCE = -1V*
IC = -10mA, VCE = -1V*
IC = -1A, VCE = -1V*
IC = -3A, VCE = -1V*
IC = -4A, VCE = -1V*
IC = -10A, VCE = -1V*
MHz IC = 100mA, VCE = 10V
f=50MHz
Output capacitance
Switching times
COBO
tON
tOFF
42 pF VCB = -10V, f= 1MHz*
42 ns IC = 1A, VCC = 10V,
540 IB1 = IB2 = 100mA
* Measured under pulsed conditions. Pulse width Յ 300s; duty cycle Յ 2%.
ISSUE 1 - DECEMBER 2004
4
4페이지 | |||
구 성 | 총 6 페이지수 | ||
다운로드 | [ ZX5T953Z.PDF 데이터시트 ] |
당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는 |
구매 문의 | 일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매 ----------------------------------------------------------------------- IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한 광범위한 전력 반도체를 판매합니다. 전력 반도체 전문업체 상호 : 아이지 인터내셔날 사이트 방문 : [ 홈페이지 ] [ 블로그 1 ] [ 블로그 2 ] |
부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
ZX5T953G | PNP MEDIUM POWER LOW SATURATION TRANSISTOR | Zetex Semiconductors |
ZX5T953G | PNP MEDIUM POWER LOW SATURATION TRANSISTOR | Diodes |
DataSheet.kr | 2020 | 연락처 | 링크모음 | 검색 | 사이트맵 |