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ZX5T953Z 데이터시트 PDF




Zetex Semiconductors에서 제조한 전자 부품 ZX5T953Z은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 ZX5T953Z 자료 제공

부품번호 ZX5T953Z 기능
기능 PNP LOW SATURATION MEDIUM POWER TRANSISTOR
제조업체 Zetex Semiconductors
로고 Zetex Semiconductors 로고


ZX5T953Z 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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ZX5T953Z 데이터시트, 핀배열, 회로
www.DataSheet4U.com
ZX5T953Z
100V PNP LOW SATURATION MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT89
SUMMARY
BVCEO = -100V : RSAT = 57m ; IC = -3.5A
DESCRIPTION
Packaged in the SOT89 outline this new 5th generation low saturation 100V
PNP transistor offers low on state losses making it ideal for use in DC-DC
circuits, line switching and various driving and power management functions.
FEATURES
3.5 amps continuous current
Up to 10 amps peak current
Very low saturation voltages
APPLICATIONS
Motor driving
Line switching
High side switches
Subscriber line interface cards (SLIC)
SOT89
ORDERING INFORMATION
DEVICE
ZX5T953ZTA
REEL TAPE WIDTH
SIZE
7" 12mm
embossed
QUANTITY PER
REEL
1000 units
PINOUT
DEVICE MARKING
953
VIEW
ISSUE 1 - DECEMBER 2004
1




ZX5T953Z pdf, 반도체, 판매, 대치품
ZX5T953Z
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25°C unless otherwise stated)
PARAMETER
SYMBOL MIN. TYP. MAX. UNIT CONDITIONS
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cut-off current
Collector cut-off current
Emitter cut-off current
Collector-emitter saturation voltage
Base-emitter saturation voltage
Base-emitter turn on voltage
Static forward current transfer ratio
Transition frequency
BVCBO
BVCER
BVCEO
BVEBO
ICBO
ICER
RՅ1k
IEBO
VCE(SAT)
VBE(SAT)
VBE(ON)
hFE
fT
-140
-140
-100
-7
100
100
25
15
-160
-160
-115
-8.1
Ͻ1
Ͻ1
Ͻ1
-20
-65
-110
-230
-970
-910
250
200
50
30
5
125
-20
-0.5
-20
-0.5
-10
-30
-85
-135
-300
-1060
-1030
300
V IC = -100A
V IC = -1A, RB Յ 1k
V IC = -10mA*
V IE = -100A
nA VCB = -100V
A VCB = -100V, Tamb=100ЊC
nA VCB = -100V
A VCB = -100V, Tamb=100ЊC
nA VEB = -6V
mV IC = -0.1A, IB = -10mA*
mV IC = -1A, IB = -100mA*
mV IC = -2A, IB = -200mA*
mV IC = -4A, IB = -400mA*
mV IC = -4A, IB = -400mA*
mV IC = -4A, VCE = -1V*
IC = -10mA, VCE = -1V*
IC = -1A, VCE = -1V*
IC = -3A, VCE = -1V*
IC = -4A, VCE = -1V*
IC = -10A, VCE = -1V*
MHz IC = 100mA, VCE = 10V
f=50MHz
Output capacitance
Switching times
COBO
tON
tOFF
42 pF VCB = -10V, f= 1MHz*
42 ns IC = 1A, VCC = 10V,
540 IB1 = IB2 = 100mA
* Measured under pulsed conditions. Pulse width Յ 300s; duty cycle Յ 2%.
ISSUE 1 - DECEMBER 2004
4

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