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GF6968A 데이터시트 PDF




General Semiconductor에서 제조한 전자 부품 GF6968A은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 GF6968A 자료 제공

부품번호 GF6968A 기능
기능 Common-Drain Dual N-Channel MOSFET
제조업체 General Semiconductor
로고 General Semiconductor 로고


GF6968A 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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GF6968A 데이터시트, 핀배열, 회로
www.DataSheet4U.com
GF6968A
Common-Drain Dual N-Channel MOSFET
T FREENNCHET®
G TSSOP-8
Low VGS(th) VDS 20V RDS(ON) 22mID 6.2A
New Product
D S2 S2 G2
8 76 5
0.122 (3.10)
0.114 (2.90)
0.005 (0.127)
85
0.177 (4.50)
0.170 (4.30)
0.028 (0.70)
0.020 (0.50)
0.260 (6.60)
0.244 (6.20)
14
0.025 (0.65)
0.012 (0.30)
0.010 (0.25)
0°– 8°
0.006 (0.15)
0.002 (0.05)
0.047 (1.20)
0.041 (1.05)
Dimensions in inches
and (millimeters)
1 23 4
D S1 S1 G1
0.260 (6.60) min.
0.028 (0.70)
0.020 (0.50)
0.204 (5.20)
0.012 (0.30)
0.010 (0.25)
0.025 (0.65)
Mounting Pad Layout
Mechanical Data
Case: TSSOP-8 Package
Terminals: Leads solderable per MIL-STD-750,
Method 2026
High temperature soldering guaranteed:
250°C/10 seconds at terminals
Mounting Position: Any
Weight: 0.5g
Features
• Advanced Trench Process Technology
• High Density Cell Design for Ultra Low
On-Resistance
• Specially Designed for Li-ion battery packs use
• Designed for battery-switch applications
Maximum Ratings and Thermal Characteristics (TA = 25°C unless otherwise noted)
Parameter
Symbol
Limit
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current (TJ = 150°C)(1)
Pulsed Drain Current
Maximum Power Dissipation(1)
TA = 25°C
TA = 70°C
Operating Junction and Storage Temperature Range
Maximum Junction-to-Ambient(1) Thermal Resistance
VDS
VGS
ID
IDM
PD
TJ, Tstg
RθJA
20
± 12
6.2
30
1.5
0.96
–55 to 150
83
Notes: (1) Surface mounted on FR4 board, t 10 sec.
Unit
V
A
A
W
°C
°C/W
4/11/01




GF6968A pdf, 반도체, 판매, 대치품
GF6968A
Common-Drain Dual N-Channel MOSFET
Ratings and
Characteristic Curves (TA = 25°C unless otherwise noted)
Fig. 6 On-Resistance vs.
Gate-to-Source Voltage
0.08
ID = 6.2A
0.06
0.04
0.02
0
1
1800
1500
1200
900
600
300
0
0
TJ = 125°C
TJ = 25°C
234
VGS -- Gate-to-Source Voltage (V)
5
Fig. 8 Capacitance
f = 1MHZ
VGS = 0V
Ciss
Crss
Coss
4 8 12 16
VDS -- Drain-to-Source Voltage (V)
20
Fig. 7 Gate Charge
5
VDS = 10V
ID = 6.2A
4
3
2
1
0
0 2 4 6 8 10 12 14
Qg -- Gate Charge (nC)
Fig. 9 Source-Drain Diode
Forward Voltage
100
VGS = 0V
16
10
1 TJ = 125°C
--55°C
25°C
0.1
0.01
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
VSD -- Source-to-Drain Voltage (V)
1.2

4페이지












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