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GFP70N03 데이터시트 PDF




General Semiconductor에서 제조한 전자 부품 GFP70N03은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 GFP70N03 자료 제공

부품번호 GFP70N03 기능
기능 N-Channel Enhancement-Mode MOSFET
제조업체 General Semiconductor
로고 General Semiconductor 로고


GFP70N03 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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GFP70N03 데이터시트, 핀배열, 회로
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GFP70N03
N-Channel Enhancement-Mode MOSFET
TGREENNCFHET®
VDS 30V RDS(ON) 8mID 70A
D
TO-220AB
0.415 (10.54)
Max.
0.154 (3.91)
0.142 (3.60)Dia.
0.113 (2.87)
* 0.102 (2.56)
0.155 (3.93)
D 0.134 (3.40)
0.410 (10.41)
0.350 (8.89)
PIN
G DS
0.635 (16.13)
0.580 (14.73)
0.360 (9.14)
0.330 (8.38)
1.148 (29.16)
1.118 (28.40)
0.160 (4.06)
0.09 (2.28)
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.185 (4.70)
0.170 (4.31)
0.055 (1.39)
0.045 (1.14)
0.603 (15.32)
0.573 (14.55)
0.104 (2.64)
0.094 (2.39)
0.037 (0.94)
0.026 (0.66)
0.205 (5.20)
0.190 (4.83)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
* May be notched or flat
0.022 (0.56)
0.014 (0.36)
Dimensions in inches
and (millimeters)
G
S
Features
• Advanced Process Technology
• High Density Cell Design for Ultra Low
On-Resistance
• Specially Designed for Low Voltage DC/DC
Converters
• Fast Switching for High Efficiency
Mechanical Data
Case: JEDEC TO-220AB molded plastic body
Terminals: Leads solderable per MIL-STD-750,
Method 2026
High temperature soldering guaranteed:
250°C/10 seconds, 0.17” (4.3mm) from case
Mounting Torque: 10 in-lbs maximum
Weight: 2.0g
Maximum Ratings and Thermal Characteristics (TC = 25°C unless otherwise noted)
Parameter
Symbol
Limit
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current(1)
VDS
30
VGS ±20
ID 70
Pulsed Drain Current
IDM 200
Maximum Power Dissipation
TC = 25°C
TC = 100°C
PD
62.5
25
Operating Junction and Storage Temperature Range
TJ, Tstg
–55 to 150
Lead Temperature (1/8” from case for 5 sec.)
TL 275
Junction-to-Case Thermal Resistance
RθJC
2.0
Junction-to-Ambient Thermal Resistance
RθJA
62.5
Notes: (1) Maximum DC current limited by the package
Unit
V
A
W
°C
°C
°C/W
°C/W
5/16/01




GFP70N03 pdf, 반도체, 판매, 대치품
GFP70N03
N-Channel Enhancement-Mode MOSFET
Ratings and
Characteristic Curves (TA = 25°C unless otherwise noted)
0.03
0.025
0.02
0.015
0.01
0.005
0
2
4500
4000
3500
3000
2500
2000
1500
1000
500
0
0
Fig. 6 On-Resistance
vs. Gate-to-Source Voltage
ID = 35A
TJ = 125°C
25°C
468
VGS -- Gate-to-Source Voltage (V)
10
Fig. 8 Capacitance
f = 1MHZ
VGS = 0V
Ciss
Crss
Coss
5 10 15 20 25
VDS -- Drain-to-Source Voltage (V)
30
Fig. 7 Gate Charge
10
VDS = 15V
ID = 35A
8
6
4
2
0
0 10 20 30 40 50 60
Qg -- Gate Charge (nC)
Fig. 9 Source-Drain Diode
Forward Voltage
100
VGS = 0V
70
10
1 TJ = 125°C
25°C
--55°C
0.1
0.01
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2
VSD -- Source-to-Drain Voltage (V)
1.4

4페이지












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