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K7Q163664B 데이터시트 PDF




Samsung semiconductor에서 제조한 전자 부품 K7Q163664B은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 K7Q163664B 자료 제공

부품번호 K7Q163664B 기능
기능 (K7Q161864B / K7Q163664B) 512Kx36 & 1Mx18 QDR TM b4 SRAM
제조업체 Samsung semiconductor
로고 Samsung semiconductor 로고


K7Q163664B 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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K7Q163664B 데이터시트, 핀배열, 회로
www.DataSheet4U.com
K7Q163664B
K7Q161864B
Document Title
512Kx36-bit, 1Mx18-bit QDRTM SRAM
Revision History
Rev. No.
History
0.0 1. Initial document.
1.0 1. Final spec release
512Kx36 & 1Mx18 QDRTM b4 SRAM
Draft Date
Jan. 27, 2004
Mar. 18, 2004
Remark
Advance
Final
The attached data sheets are prepared and approved by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the right to change the
specifications. SAMSUNG Electronics will evaluate and reply to your requests and questions on the parameters of this device. If you have any ques-
tions, please contact the SAMSUNG branch office near your office, call or contact Headquarters.
- 1 - Mar. 2004
Rev 1.0




K7Q163664B pdf, 반도체, 판매, 대치품
K7Q163664B
K7Q161864B
512Kx36 & 1Mx18 QDRTM b4 SRAM
PIN CONFIGURATIONS(TOP VIEW) K7Q163664B(512Kx36)
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
A NC VSS NC
W BW2 K BW1 R
NC VSS
B Q27 Q18 D18 SA BW3 K BW0 SA D17 Q17
C D27 Q28 D19 VSS
SA
NC
SA
VSS D16
Q7
D D28 D20 Q19 VSS VSS VSS VSS VSS Q16 D15
E
Q29
D29
Q20
VDDQ
VSS
VSS
VSS VDDQ Q15
D6
F
Q30 Q21
D21
VDDQ
VDD
VSS
VDD
VDDQ
D14
Q14
G
D30
D22
Q22
VDDQ
VDD
VSS
VDD
VDDQ
Q13
D13
H
NC
VREF
VDDQ
VDDQ
VDD
VSS
VDD
VDDQ
VDDQ
VREF
J
D31
Q31
D23
VDDQ
VDD
VSS
VDD
VDDQ
D12
Q4
K
Q32
D32
Q23
VDDQ
VDD
VSS
VDD
VDDQ
Q12
D3
L
Q33
Q24
D24
VDDQ
VSS
VSS
VSS VDDQ D11
Q11
M D33 Q34 D25 VSS VSS VSS VSS VSS D10 Q1
N D34 D26 Q25 VSS
SA
SA
SA
VSS Q10
D9
P Q35 D35 Q26
SA
SA
C
SA SA Q9 D0
R TDO TCK
SA
SA
SA
C
SA SA SA TMS
Notes: 1. BW0 controls write to D0:D8, BW1 controls write to D9:D17, BW2 controls write to D18:D26 and BW3 controls write to D27:D35.
11
NC
Q8
D8
D7
Q6
Q5
D5
ZQ
D4
Q3
Q2
D2
D1
Q0
TDI
PIN NAME
SYMBOL
K, K
C, C
SA
D0-35
Q0-35
W
R
BW0, BW1,BW2, BW3
VREF
ZQ
VDD
VDDQ
VSS
PIN NUMBERS
6B, 6A
6P, 6R
4B,8B,5C,7C,5N-7N,4P,5P,7P,8P,3R-5R,7R-9R
10P,11N,11M,10K,11J,11G,10E,11D,11C,10N,9M,9L
9J,10G,9F,10D,9C,9B,3B,3C,2D,3F,2G,3J,3L,3M,2N
1C,1D,2E,1G,1J,2K,1M,1N,2P
11P,10M,11L,11K,10J,11F,11E,10C,11B,9P,9N,10L
9K,9G,10F,9E,9D,10B,2B,3D,3E,2F,3G,3K,2L,3N
3P,1B,2C,1E,1F,2J,1K,1L,2M,1P
4A
8A
7B,7A,5A,5B
2H,10H
11H
5F,7F,5G,7G,5H,7H,5J,7J,5K,7K
4E,8E,4F,8F,4G,8G,3H,4H,8H,9H,4J,8J,4K,8K,4L,8L
2A,10A,4C,8C,4D-8D,5E-7E,
6F,6G,6H,6J,6K,5L-7L,
DESCRIPTION
Input Clock
Input Clocks for Output data
Address Inputs
Data Inputs
NOTES
1
Data Outputs
Write Control Pin
Read Control Pin
Byte Write Control Pin
Input Reference Voltage
Output Driver Impedance Control
Power Supply ( 2.5V )
Output Power Supply( 1.5V or 1.8V )
Ground
2
TMS
10R JTAG Test Mode Select
TDI 11R JTAG Test Data Input
TCK
2R
JTAG Test Clock
TDO
1R JTAG Test Data Output
NC 3A,9A,6C,1H
No Connect
3
Notes: 1. C, C, K or K cannot be set to VREF voltage.
2. When ZQ pin is directly connected to VDD output impedance is set to minimum value and it cannot be connected to ground or left unconnected.
3. Not connected to chip pad internally.
- 4 - Mar. 2004
Rev 1.0

4페이지










K7Q163664B 전자부품, 판매, 대치품
K7Q163664B
K7Q161864B
512Kx36 & 1Mx18 QDRTM b4 SRAM
STATE DIAGRAM
POWER-UP
READ NOP
READ
WRITE
WRITE NOP
READ
READ
D count=2
LOAD NEW
READ ADDRESS
D count=0
ALWAYS
READ
D count=2
DDR READ
D count=D count+1
READ
D count=1
ALWAYS
INCREMENT
READ ADDRESS
WRITE
LOAD NEW
WRITE ADDRESS
D count=0
WRITE
D count=2
ALWAYS
WRITE
D count=2
DDR WRITE
D count=D count+1
ALWAYS
WRITE
D count=1
INCREMENT
WRITE ADDRESS
Notes: 1. Internal burst counter is fixed as 2-bit linear, i.e. when first address is A0+0, next internal burst address is A0+1.
2. "READ" refers to read active status with R=Low, "READ" refers to read inactive status with R=high. "WRITE" and "WRITE" are the same case.
3. Read and write state machine can be active simultaneously.
4. State machine control timing sequence is controlled by K.
- 7 - Mar. 2004
Rev 1.0

7페이지


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