Datasheet.kr   

K7Q163682A 데이터시트 PDF




Samsung semiconductor에서 제조한 전자 부품 K7Q163682A은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 K7Q163682A 자료 제공

부품번호 K7Q163682A 기능
기능 (K7Q161882A / K7Q161882A) 512Kx36 & 1Mx18 QDR b2 SRAM
제조업체 Samsung semiconductor
로고 Samsung semiconductor 로고


K7Q163682A 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 17 페이지수

미리보기를 사용할 수 없습니다

K7Q163682A 데이터시트, 핀배열, 회로
K7Q163682A
K7Q161882A
www.DataSheet4U.com
512Kx36 & 1Mx18 QDRTM b2 SRAM
Document Title
512Kx36-bit, 1Mx18-bit QDRTM SRAM
Revision History
Rev. No.
History
0.0 1. Initial document.
0.1 1. Icc, Isb addition
2. 1.8V Vddq addition
3. Speed bin change
0.2 1. Changed Pin configuration at x36 organization.
- 9F ; from Q14 to D14 .
- 10F ; from D14 to Q14 .
2. Reserved pin for high density name change from NC to Vss/SA
1.0 1. Final SPEC release
2. Modify thermal resistance
Draft Date
May, 22 2001
Remark
Advance
Sep,03 2001
Advance
Nov. 20. 2001
Preliminary
July, 03. 2002
Final
The attached data sheets are prepared and approved by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the right to change the
specifications. SAMSUNG Electronics will evaluate and reply to your requests and questions on the parameters of this device. If you have any ques-
tions, please contact the SAMSUNG branch office near your office, call or contact Headquarters.
- 1 - July 2002
Rev 1.0




K7Q163682A pdf, 반도체, 판매, 대치품
K7Q163682A
K7Q161882A
512Kx36 & 1Mx18 QDRTM b2 SRAM
PIN CONFIGURATIONS(TOP VIEW) K7Q163682A(512Kx36)
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
A
NC VSS/SA* NC/SA*
W
BW2
K
BW1
R NC/SA* VSS/SA* NC
B Q27 Q18 D18 SA BW3 K BW0 SA D17 Q17 Q8
C D27 Q28 D19 VSS
SA
SA
SA VSS D16 Q7
D8
D D28 D20 Q19 VSS VSS VSS VSS VSS Q16 D15 D7
E
Q29
D29
Q20
VDDQ
VSS
VSS
VSS VDDQ Q15
D6
Q6
F
Q30
Q21
D21
VDDQ
VDD
VSS
VDD
VDDQ
D14
Q14
Q5
G
D30
D22
Q22
VDDQ
VDD
VSS
VDD
VDDQ
Q13
D13
D5
H
NC
VREF
VDDQ
VDDQ
VDD
VSS
VDD
VDDQ
VDDQ
VREF
ZQ
J
D31
Q31
D23
VDDQ
VDD
VSS
VDD
VDDQ
D12
Q4
D4
K
Q32
D32
Q23
VDDQ
VDD
VSS
VDD
VDDQ
Q12
D3
Q3
L
Q33
Q24
D24
VDDQ
VSS
VSS
VSS
VDDQ
D11
Q11
Q2
M D33 Q34 D25 VSS VSS VSS VSS VSS D10 Q1
D2
N D34 D26 Q25 VSS
SA
SA
SA VSS Q10 D9
D1
P Q35 D35 Q26
SA
SA
C
SA SA Q9 D0 Q0
R TDO TCK
SA
SA
SA
C
SA SA SA TMS TDI
Notes : 1. * Checked No Connect(NC) pins are reserved for higher density address, i.e. 9A for 32Mb, 3A for 64Mb, 10A for 128Mb and 2A for 256Mb.
2. BW0 controls write to D0:D8, BW1 controls write to D9:D17, BW2 controls write to D18:D26 and BW3 controls write to D27:D35.
PIN NAME
SYMBOL
PIN NUMBERS
DESCRIPTION
NOTES
K, K 6B, 6A
Input Clock
C, C
6P, 6R
Input Clocks for Output data
1
SA 4B,8B,5C-7C,5N-7N,4P,5P,7P,8P,3R-5R,7R-9R
Address Inputs
D0-35
10P,11N,11M,10K,11J,11G,10E,11D,11C,10N,9M,9L
9J,10G,9F,10D,9C,9B,3B,3C,2D,3F,2G,3J,3L,3M,2N
1C,1D,2E,1G,1J,2K,1M,1N,2P
Data Inputs
Q0-35
11P,10M,11L,11K,10J,11F,11E,10C,11B,9P,9N,10L
9K,9G,10F,9E,9D,10B,2B,3D,3E,2F,3G,3K,2L,3N
3P,1B,2C,1E,1F,2J,1K,1L,2M,1P
Data Outputs
W 4A
Write Control Pin
R 8A
Read Control Pin
BW0, BW1,BW2, BW3
7B,7A,5A,5B
Byte Write Control Pin
VREF
2H,10H
Input Reference Voltage
ZQ 11H Output Driver Impedance Control Input 2
VDD 5F,7F,5G,7G,5H,7H,5J,7J,5K,7K Power Supply ( 1.8 V )
VDDQ
4E,8E,4F,8F,4G,8G,3H,4H,8H,9H,4J,8J,4K,8K,4L,8L Output Power Supply (1.5V or 1.8V)
VSS
2A,10A,4C,8C,4D-8D,5E-7E,
6F,6G,6H,6J,6K,5L-7L,4M-8M,4N,8N
Ground
TMS 10R JTAG Test Mode Select
TDI 11R JTAG Test Data Input
TCK
2R
JTAG Test Clock
TDO 1R JTAG Test Data Output
NC 1A,3A,9A,11A,1H
No Connect
3
Notes: 1. C, C, K or K cannot be set to VREF voltage.
2. When ZQ pin is directly connected to VDD output impedance is set to minimum value and it cannot be connected to ground or left unconnected.
3. Not connected to chip pad internally.
- 4 - July 2002
Rev 1.0

4페이지










K7Q163682A 전자부품, 판매, 대치품
K7Q163682A
K7Q161882A
512Kx36 & 1Mx18 QDRTM b2 SRAM
STATE DIAGRAM
POWER-UP
READ NOP
READ
WRITE
WRITE NOP
READ
WRITE
READ
LOAD NEW
READ ADDRESS
ALWAYS
(FIXED)
DDR READ
READ WRITE
LOAD NEW
WRITE ADDRESS
ALWAYS
(FIXED)
WRITE
WRIDTEDRPOWRRTITNEOP
Notes: 1. Internal burst counter is fixed as 2-bit linear, i.e. when first address is A0+0, next internal burst address is A0+1.
2. "READ" refers to read active status with R=Low, "READ" refers to read inactive status with R=high. "WRITE" and "WRITE" are the same case.
3. Read and write state machine can be active simultaneously.
4. State machine control timing sequence is controlled by K.
- 7 - July 2002
Rev 1.0

7페이지


구       성 총 17 페이지수
다운로드[ K7Q163682A.PDF 데이터시트 ]

당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는

포괄적인 데이터시트를 제공합니다.


구매 문의
일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매
-----------------------------------------------------------------------

IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한
광범위한 전력 반도체를 판매합니다.

전력 반도체 전문업체

상호 : 아이지 인터내셔날

사이트 방문 :     [ 홈페이지 ]     [ 블로그 1 ]     [ 블로그 2 ]



관련 데이터시트

부품번호상세설명 및 기능제조사
K7Q163682A

(K7Q161882A / K7Q161882A) 512Kx36 & 1Mx18 QDR b2 SRAM

Samsung semiconductor
Samsung semiconductor

DataSheet.kr       |      2020   |     연락처      |     링크모음      |      검색     |      사이트맵