Datasheet.kr   

STP100NF03L-03 데이터시트 PDF




ST Microelectronics에서 제조한 전자 부품 STP100NF03L-03은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 STP100NF03L-03 자료 제공

부품번호 STP100NF03L-03 기능
기능 N-channel Power MOSFET
제조업체 ST Microelectronics
로고 ST Microelectronics 로고


STP100NF03L-03 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 15 페이지수

미리보기를 사용할 수 없습니다

STP100NF03L-03 데이터시트, 핀배열, 회로
www.DataSheet4U.com
STP100NF03L-03
STB100NF03L-03 STB100NF03L-03-1
N-channel 30V - 0.0026- 100A - D2PAK/I2/TO-220
STripFET™ III Power MOSFET
General features
Type
STB100NF03L-03
STB100NF03L-03-1
STP100NF03L-03
VDSS
30V
30V
30V
Low threshold drive
100% avalanche tested
Logic level device
RDS(on)
<0.0032
<0.0032
<0.0032
ID
100A
100A
100A
Description
This Power MOSFET is the latest development of
STMicroelectronis unique "Single Feature Size™"
strip-based process. The resulting transistor
shows extremely high packing density for low on-
resistance, rugged avalanche characteristics and
less critical alignment steps therefore a
remarkable manufacturing reproducibility.
Applications
Switching application
3
2
1
TO-220
3
1
D2PAK
123
I2PAK
Internal schematic diagram
Order codes
Part number
STB100NF03L-03T4
STB100NF03L-03-1
STP100NF03L-03
Marking
B100NF03L
B100NF03L
P100NF03L
Package
D2PAK
I2PAK
TO-220
Packaging
Tape & reel
Tube
Tube
June 2006
Rev 2
1/15
www.st.com
15




STP100NF03L-03 pdf, 반도체, 판매, 대치품
Electrical characteristics
STB100NF03L-03 - STB100NF03L-03-1 - STP100NF03L-03
2 Electrical characteristics
(TCASE=25°C unless otherwise specified)
Table 3. On/off states
Symbol
Parameter
Drain-source
V(BR)DSS breakdown voltage
IDSS
Zero gate voltage
drain current (VGS = 0)
IGSS
VGS(th)
RDS(on)
Gate-body leakage
current (VDS = 0)
Gate threshold voltage
Static drain-source on
resistance
Test conditions
Min. Typ. Max. Unit
ID = 250µA, VGS =0
VDS = max ratings
VDS = max ratings,
TC = 125°C
VGS = ± 16V
VDS = VGS, ID = 250µA
VGS = 10V, ID = 50A
VGS = 4.5V, ID = 50A
30 V
1 µA
10 µA
±100 nA
1
1.7 2.5
V
0.0026 0.0032
0.0032 0.0045
Table 4. Dynamic
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
gfs (1)
Ciss
Coss
Crss
Forward
transconductance
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer
capacitance
VDS>ID(on)xRDS(on)max ,
ID = 30A
VDS = 25V, f = 1MHz,
VGS = 0
td(on)
tr
td(off)
tf
Turn-on delay time
Rise time
Turn-off delay time
Fall time
VDD = 15V, ID = 50A
RG = 4.7VGS = 4.5V
(see Figure 13)
Qg Total gate charge
Qgs Gate-source charge
Qgd Gate-drain charge
VDD = 24V, ID = 100A,
VGS = 5V
(see Figure 14)
1. Pulsed: Pulse duration = 300 µs, duty cycle 1.5 %.
10
Typ.
6200
1720
300
35
315
115
95
88
22.5
36
Max.
Unit
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
4/15

4페이지










STP100NF03L-03 전자부품, 판매, 대치품
STB100NF03L-03 - STB100NF03L-03-1 - STP100NF03L-03
Electrical characteristics
Figure 7. Gate charge vs gate-source voltage Figure 8. Capacitance variations
Figure 9. Normalized gate threshold voltage Figure 10. Normalized on resistance vs
vs temperature
temperature
Figure 11. Source-drain diode forward
characteristics
Figure 12. Normalized BVDSS vs temperature
7/15

7페이지


구       성 총 15 페이지수
다운로드[ STP100NF03L-03.PDF 데이터시트 ]

당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는

포괄적인 데이터시트를 제공합니다.


구매 문의
일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매
-----------------------------------------------------------------------

IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한
광범위한 전력 반도체를 판매합니다.

전력 반도체 전문업체

상호 : 아이지 인터내셔날

사이트 방문 :     [ 홈페이지 ]     [ 블로그 1 ]     [ 블로그 2 ]



관련 데이터시트

부품번호상세설명 및 기능제조사
STP100NF03L-03

N-channel Power MOSFET

ST Microelectronics
ST Microelectronics

DataSheet.kr       |      2020   |     연락처      |     링크모음      |      검색     |      사이트맵