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STD55NH2LL 데이터시트 PDF




ST Microelectronics에서 제조한 전자 부품 STD55NH2LL은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 STD55NH2LL 자료 제공

부품번호 STD55NH2LL 기능
기능 N-CHANNEL MOSFET
제조업체 ST Microelectronics
로고 ST Microelectronics 로고


STD55NH2LL 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 16 페이지수

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STD55NH2LL 데이터시트, 핀배열, 회로
www.DataSheet4U.com
STD55NH2LL
STD55NH2LL-1
N-channel 24V - 0.010- 40A - DPAK/IPAK
Ultra low gate charge STripFET™ Power MOSFET
General features
Type
STD55NH2LL-1
STD55NH2LL
VDSS
24V
24V
RDS(on)
<0.011
<0.011
1. Value limited by wire bonding
RDS(ON) * Qg industry’s benchmark
Conduction losses reduced
Switching losses reduced
Low threshold device
ID
40A(1)
40A(1)
Description
The STD55NH2LL is based on the latest
generation of ST's proprietary STripFET™
technology. An innovative layout enables the
device to also exhibit extremely low gate charge
for the most demanding requirements as high-
side switch in high-frequency DC-DC converters.
It's therefore ideal for high-density converters in
Telecom and Computer applications.
Applications
Switching application
3
2
1
iPAK
3
1
DPAK
Internal schematic diagram
Order codes
Part number
STD55NH2LL-1
STD55NH2LLT4
Marking
D55NH2LL
D55NH2LL
Package
IPAK
DPAK
Packaging
Tube
Tape & reel
July 2006
Rev 5
1/16
www.st.com
16




STD55NH2LL pdf, 반도체, 판매, 대치품
Electrical characteristics
2 Electrical characteristics
STD55NH2LL - STD55NH2LL-1
(TCASE=25°C unless otherwise specified)
Table 3. On/off states
Symbol
Parameter
Drain-source
V(BR)DSS breakdown voltage
IDSS
Zero gate voltage
drain current (VGS = 0)
IGSS
VGS(th)
RDS(on)
Gate-body leakage
current (VDS = 0)
Gate threshold voltage
Static drain-source on
resistance
Test conditions
Min. Typ. Max. Unit
ID = 25mA, VGS =0
24
V
VDS = max rating
VDS = max rating
TC = 125°C
1 µA
10 µA
VGS = ± 16V
±100 nA
VDS = VGS, ID = 250µA
1
V
VGS = 10V, ID = 20A
VGS = 4.5V, ID = 20A
0.010 0.011
0.012 0.0135
Table 4. Dynamic
Symbol
Parameter
Test conditions
gfs (1)
Ciss
Coss
Crss
Forward
transconductance
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer
capacitance
RG Gate Input Resistance
VDS = 10V, ID = 10A
VDS = 25V, f = 1MHz,
VGS = 0
f = 1 MHz Gate
DC Bias = 0 Test Signal
Level = 20 mV Open
Drain
td(on)
tr
td(off)
tf
Turn-on delay time
Rise time
Turn-off delay time
Fall time
VDD = 10V, ID = 20A
RG = 4.7VGS = 4.5V
(see Figure 13)
Qg Total gate charge
Qgs Gate-source charge
Qgd Gate-drain charge
0.44V VDD 10V,
ID = 40A,
VGS = 4.5V, RG = 4.7
(see Figure 14)
Qoss(2) Output charge
VDS= 16 V, VGS= 0 V
1. Pulsed: Pulse duration = 300 µs, duty cycle 1.5 %.
2. Qoss = Coss*Vin , Coss = Cgd + Cds . See Chapter 4: Appendix A
Min.
Typ.
18
990
385
40
1.3
15
56
13
10
8.7
4.2
2.4
7.6
Max.
11
Unit
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
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STD55NH2LL 전자부품, 판매, 대치품
STD55NH2LL - STD55NH2LL-1
Electrical characteristics
Figure 7. Gate charge vs gate-source voltage Figure 8. Capacitance variations
Figure 9. Normalized gate threshold voltage Figure 10. Normalized on resistance vs
vs temperature
temperature
Figure 11. Source-drain diode forward
characteristics
Figure 12. Normalized breakdown voltage vs
temperature
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