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STD70N02L 데이터시트 PDF




ST Microelectronics에서 제조한 전자 부품 STD70N02L은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 STD70N02L 자료 제공

부품번호 STD70N02L 기능
기능 N-CHANNEL MOSFET
제조업체 ST Microelectronics
로고 ST Microelectronics 로고


STD70N02L 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 17 페이지수

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STD70N02L 데이터시트, 핀배열, 회로
www.DataSheet4U.com
STD70N02L
STD70N02L-1
N-channel 24V - 0.0068- 60A - DPAK - IPAK
STripFET™ III Power MOSFET
General features
Type
STD70N02L
STD70N02L-1
VDSS
24V
24V
RDS(on)
<0.008
<0.008
RDS(ON) * Qg industry’s benchmark
Conduction losses reduced
Switching losses reduced
Low threshold device
ID
60A
60A
Description
This series of products utilizes the latest
advanced design rules of ST’s proprietary
STripFET™ technology. This is suitable for the
most demanding DC-DC converter application
where high efficiency is to be achieved.
Applications
Switching application
3
1
DPAK
IPAK
3
2
1
Internal schematic diagram
Order codes
Part number
STD70N02L-1
STD70N02L
Marking
D70N02L
D70N02L
Package
IPAK
DPAK
Packaging
Tube
Tape & reel
May 2006
Rev 4
1/17
www.st.com
17




STD70N02L pdf, 반도체, 판매, 대치품
Electrical characteristics
2 Electrical characteristics
STD70N02L - STD70N02L-1
(Tcase =25°C unless otherwise specified)
Table 3. On /off states
Symbol
Parameter
Test conditions
V(BR)DSS
Drain-source breakdown
voltage
ID = 25mA, VGS= 0
IDSS
Zero gate voltage drain VDS = 20V,
current (VGS = 0)
VDS = 20V,Tc = 125°C
IGSS
Gate body leakage
current (VDS = 0)
VGS = ±20V
VGS(th) Gate threshold voltage VDS= VGS, ID = 250µA
RDS(on)
Static drain-source on
resistance
VGS= 10V, ID= 30A
VGS= 5V, ID= 15A
Min. Typ. Max. Unit
24 V
1 µA
10 µA
±100 nA
1 1.8
V
0.0068 0.008
0.090 0.014
Table 4. Dynamic
Symbol
Parameter
Test conditions
gfs (1)
Ciss
Coss
Crss
Qg
Qgs
Qgd
Forward
transconductance
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer
capacitance
Total gate charge
Gate-source charge
Gate-drain charge
RG Gate input resistance
VDS =15V, ID = 30A
VDS =16V, f=1MHz, VGS=0
VDD=10V, ID = 60A
VGS =10V
(see Figure 15)
f=1MHz Gate DC Bias =0
test signal level =20mV
open drain
QOSS(2) Output charge
VDS =16V, VGS =0V
1. Pulsed: pulse duration = 300µs, duty cycle 1.5%
2. Qoss.= Coss * D Vin, Coss = Cgd + Cgd. (see Appendix A)
Min. Typ. Max. Unit
27 S
1400
400
55
pF
pF
pF
24 32 nC
5 nC
3.4 nC
0.5 1.5
3
9.4 nC
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STD70N02L 전자부품, 판매, 대치품
STD70N02L - STD70N02L-1
Electrical characteristics
Figure 7. Gate charge vs gate-source voltage Figure 8. Capacitance variations
Figure 9. Normalized gate threshold voltage Figure 10. Normalized on resistance vs
vs temperature
temperature
Figure 11. Source-drain diode forward
characteristics
Figure 12. Normalized BVDSS vs temperature
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7페이지


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