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2N6388 데이터시트 PDF




Motorola Semiconductors에서 제조한 전자 부품 2N6388은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 2N6388 자료 제공

부품번호 2N6388 기능
기능 (2N6387 / 2N6388) DARLINGTON NPN SILICON POWER TRANSISTORS
제조업체 Motorola Semiconductors
로고 Motorola Semiconductors 로고


2N6388 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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2N6388 데이터시트, 핀배열, 회로
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MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
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by 2N6387/D
Plastic Medium-Power
Silicon Transistors
. . . designed for general–purpose amplifier and low–speed switching applications.
High DC Current Gain —
hFE = 2500 (Typ) @ IC = 4.0 Adc
Collector–Emitter Sustaining Voltage – @ 100 mAdc
VCEO(sus) = 60 Vdc (Min) — 2N6387
VCEO(sus) = 80 Vdc (Min) — 2N6388
Low Collector–Emitter Saturation Voltage —
VCE(sat) = 2.0 Vdc (Max) @ IC = 5.0 Adc — 2N6387, 2N6388
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎMonolithic Construction with Built–In Base–Emitter Shunt Resistors
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎTO–220AB Compact Package
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ*MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎRating
Collector–Emitter Voltage
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎCollector–Base Voltage
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎEmitter–Base Voltage
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎCollector Current — Continuous
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎPeak
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎBase Current
Total Power Dissipation
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ@ TC = 25_C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎDerate above 25_C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎTotal Power Dissipation
@ TA = 25_ C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎDerate above 25_C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎOperating and Storage Junction,
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎTemperature Range
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎTHERMAL CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎCharacteristics
Thermal Resistance, Junction to Case
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎThermal Resistance, Junction to Ambient
Symbol
VCEO
VCB
VEB
IC
IB
PD
PD
TJ, Tstg
2N6387 2N6388
60 80
60 80
5.0
10 10
15 15
250
65
0.52
2.0
0.016
– 65 to + 150
Symbol
RθJC
RθJA
Max
1.92
62.5
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
Adc
mAdc
Watts
W/_ C
Watts
W/_ C
_C
Unit
_ C/W
_ C/W
TA TC
4.0 80
2N6387
2N6388 *
*Motorola Preferred Device
DARLINGTON
8 AND 10 AMPERE
NPN SILICON
POWER TRANSISTORS
60 – 80 VOLTS
65 WATTS
CASE 221A–06
TO–220AB
3.0 60
2.0 40
1.0 20
TC
TA
0
0 20 40 60 80 100 120
T, TEMPERATURE (°C)
Figure 1. Power Derating
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.
REV 7
140 160
©MMoototorroollaa, IBncip. 1o9la95r Power Transistor Device Data
1




2N6388 pdf, 반도체, 판매, 대치품
2N6387 2N6388
20,000
10,000
VCE = 4.0 V
5000 TJ = 150°C
3000
2000
25°C
1000
– 55°C
500
300
200
0.1
0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
Figure 8. DC Current Gain
5.0 7.0 10
3.0
2.6
IC = 2.0 A
4.0 A
6.0 A
2.2
TJ = 25°C
1.8
1.4
1.0
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0 5.0 7.0 10
IB, BASE CURRENT (mA)
20 30
Figure 9. Collector Saturation Region
3.0
TJ = 25°C
2.5
2.0
1.5 VBE(sat) @ IC/IB = 250
VBE @ VCE = 4.0 V
1.0
VCE(sat) @ IC/IB = 250
0.5
0.1
0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
Figure 10. “On” Voltages
5.0 7.0 10
105
REVERSE
104
FORWARD
VCE = 30 V
103
102
TJ = 150°C
101
100 100°C
10– 1 25°C
– 0.6 – 0.4 – 0.2
0 + 0.2 + 0.4 + 0.6 + 0.8 + 1.0 + 1.2 + 1.4
VBE, BASE–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
Figure 12. Collector Cut–Off Region
+ 5.0
++ 4.0
+ 3.0
*IC/IB
hFE @ VCE
3
4.0 V
+ 2.0
25°C to 150°C
+ 1.0 *θVC for VCE(sat)
0
– 55°C to 25°C
– 1.0
– 2.0
– 3.0 θVB for VBE
– 4.0
– 5.0
0.1
0.2 0.3
25°C to 150°C
0.5 0.7 1.0
– 55°C to 25°C
2.0 3.0 5.0 7.0 10
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
Figure 11. Temperature Coefficients
COLLECTOR
BASE
[ 8.0 k [ 120
EMITTER
Figure 13. Darlington Schematic
4 Motorola Bipolar Power Transistor Device Data

4페이지












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