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FDS8447 데이터시트 PDF




Fairchild Semiconductor에서 제조한 전자 부품 FDS8447은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 FDS8447 자료 제공

부품번호 FDS8447 기능
기능 Single N-Channel PowerTrench MOSFET
제조업체 Fairchild Semiconductor
로고 Fairchild Semiconductor 로고


FDS8447 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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FDS8447 데이터시트, 핀배열, 회로
www.DataSheet4U.com
November 2006
FDS8447
Single N-Channel PowerTrench® MOSFET
tm
40V, 12.8A, 10.5m
Features
General Description
„ Max rDS(on) = 10.5mat VGS = 10V, ID = 12.8A
„ Max rDS(on) = 12.3mat VGS = 4.5V, ID = 11.4A
„ Low gate charge
„ High performance trench technology for extremely low
rDS(on)
„ High power and current handling capability
„ RoHS compliant
This single N-Channel MOSFET is produced using
Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench®
process that has been especially tailored to minimize the
on-state resistance and yet maintain superior switching
performance.
Applications
„ DC - DC conversion
D
D
D
D
SO-8
Pin 1
G
S
S
S
D5
D6
D7
D8
4G
3S
2S
1S
MOSFET Maximum Ratings TA = 25°C unless otherwise noted
Symbol
VDS
VGS
ID
EAS
PD
Parameter
Drain to Source Voltage
Gate to Source Voltage
Drain Current -Continuous
-Pulsed
Drain-Source Avalanche Energy
Power Dissipation for Single Operation
TJ, TSTG
Operating and Storage Junction Temperature Range
Thermal Characteristics
(Note 1a)
(Note 3)
(Note 1a)
(Note 1b)
RθJA
Thermal Resistance-Single operation, Junction to Ambient
RθJC
Thermal Resistance, Junction to Case
Package Marking and Ordering Information
(Note 1a)
(Note 1)
Device Marking
FDS8447
Device
FDS8447
Reel Size
13’’
Tape Width
12mm
Ratings
40
±20
12.8
50
150
2.5
1
-55 to 150
Units
V
V
A
mJ
W
°C
50 °C/W
25
Quantity
2500 units
©2006 Fairchild Semiconductor Corporation
FDS8447 Rev. B
1
www.fairchildsemi.com




FDS8447 pdf, 반도체, 판매, 대치품
Typical Characteristics TJ = 25°C unless otherwise noted
10
8 VDD = 10V
6 VDD = 20V
4 VDD = 30V
2
0
0 10 20 30 40
Qg, GATE CHARGE(nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
104
Ciss
103
Coss
102 Crss
f = 1MHz
VGS = 0V
101
0.1 1 10
VDS, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
40
Figure 8. Capacitance vs Drain to Source Voltage
16
13
10 TJ = 25oC
7
TJ = 125oC
4
1
0.01 0.1 1 10 100
tAV, TIME IN AVALANCHE(ms)
Figure 9. Unclamped Inductive Switching
Capability
15
12 VGS = 10V
9
6 VGS = 4.5V
3
RθJA = 50oC/W
0
25 50 75 100 125
TA, AMBIENT TEMPERATURE (oC)
150
Figure 10. Maximum Continuous Drain Current vs
Ambient Temperature
100
100us
10
1ms
1
0.1
0.01
0.01
OPERATION IN THIS
AREA MAY BE
LIMITED BY rDS(on)
SINGLE PULSE
TJ = MAX RATED
TA = 25OC
10ms
100ms
1s
10s
DC
0.1 1 10 100 200
VDS, DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Forward Bias Safe Operating Area
2000
1000
VGS = 10V
100
10
SINGLE PULSE
RθJA = 125°C/W
TA = 25°C
SINGLE PULSE
1
10-4 10-3 10-2 10-1 100 101 102 103
t, PULSE WIDTH (s)
Figure 12. Single Pulse Maximum Power
Dissipation
FDS8447 Rev.B
4 www.fairchildsemi.com

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