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STP12IE90F4 데이터시트 PDF




ST Microelectronics에서 제조한 전자 부품 STP12IE90F4은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 STP12IE90F4 자료 제공

부품번호 STP12IE90F4 기능
기능 Emitter Switched Bipolar Transistor
제조업체 ST Microelectronics
로고 ST Microelectronics 로고


STP12IE90F4 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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STP12IE90F4 데이터시트, 핀배열, 회로
www.DataSheet4U.com
STP12IE90F4
Emitter Switched Bipolar Transistor
ESBT® 900 V - 12 A - 0.083
General features
VCS(ON)
1V
IC
12A
RCS(ON)
0.083 W
High voltage / high current Cascode
configuration
Low equivalent on resistance
Very fast-switch up to 150 kHz
Squared RBSOA up to 900V
Very low Ciss driven by RG = 47
Very low turn-off cross over time
Applications
Flyback SMPS for adapter
Flyback / forward SMPS for desktop
Description
The STP12IE90F4 is manufactured in Monolithic
ESBT Technology, aimed to provide best perfor-
mances in high frequency / high voltage applica-
tions.
It is designed for use in Gate Driven based topolo-
gies.
TO220FP-4L
Internal schematic diagrams
00000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000 0000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000
Order codes
Part Number
Marking
STP12IE90F4
P12IE90F4
Package
TO220FP-4L
Packing
Tube
January 2007
Rev 2
1/11
www.st.com
11




STP12IE90F4 pdf, 반도체, 판매, 대치품
Electrical characteristics
2 Electrical characteristics
STP12IE90F4
(Tcase = 25°C unless otherwise specified)
Table 3.
Symbol
Electrical characteristics
Parameter
Test Conditions
Min. Typ. Max. Unit
ICS(SS)
Collector-source current
(VBS = VGS = 0)
VCE = 900V
100
IBS(OS)
Base-source current
(IC = 0, VGS = 0)
VBS(OS) = 30V
10
ISB(OS)
Source-base current
(IC = 0, VGS = 0)
VSB(OS) = 17V
100
IGS(OS) Gate-source leakage
VGS = ± 17V
100
VCS(ON)
Collector-source ON
voltage
VGS = 10V _IC = 12A IB = 2.4A
VGS = 10V_ IC = 6A IB = 0.6A
1
0.6
hFE DC current gain
VGS = 10V_ IC = 12A VCS = 1V
VGS = 10V_ IC = 6A_ VCS = 1V
5
15
VBS(ON)
Base Source ON voltage
VGS = 10V_ IC = 12A IB = 2.4A
VGS = 10V_ IC = 6A_ IB = 0.6A
1.5
1.2
VGS(th) Gate threshold voltage VBS = VGS ______IB = 250µA
2 34
Ciss Input capacitance
VCS =25V f =1MHz
VGS=0V
520
QGS(tot) Gate-source Charge
VCS=25V
VCB=0V
VGS=10V
IC =4A
21.3
ts
tf
INDUCTIVE LOAD
Storage time
Fall time
VGS =10V
VClamp =720V
IC =6A
RG =47
tp =4µs
IB =1.2A
610
10
INDUCTIVE LOAD
ts Storage time
tf Fall time
VGS =10V
VClamp =720V
IC =6A
RG =47
tp =4µs
IB =0.6A
360
10
VCSW
Maximum collector-
source voltage switched
without snubber
RG =47
IC = 12A
hFE =5
900
µA
µA
µA
nA
V
V
V
V
V
pF
nC
ns
ns
ns
ns
V
4/11

4페이지










STP12IE90F4 전자부품, 판매, 대치품
STP12IE90F4
2.2 Test circuits
Figure 9. Static VCS(ON) test circuits
Electrical characteristics
Figure 10. Inductive load switching and RBSOA test circuit
7/11

7페이지


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