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MBR30H100CT 데이터시트 PDF




ON Semiconductor에서 제조한 전자 부품 MBR30H100CT은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 MBR30H100CT 자료 제공

부품번호 MBR30H100CT 기능
기능 SWITCHMODE Power Rectifier
제조업체 ON Semiconductor
로고 ON Semiconductor 로고


MBR30H100CT 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 8 페이지수

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MBR30H100CT 데이터시트, 핀배열, 회로
MBR30H100CT,
MBRF30H100CT
Switch‐mode
Power Rectifier
100 V, 30 A
Features and Benefits
Low Forward Voltage: 0.67 V @ 125°C
Low Power Loss/High Efficiency
High Surge Capacity
175°C Operating Junction Temperature
30 A Total (15 A Per Diode Leg)
These are Pb−Free Devices
Applications
Power Supply − Output Rectification
Power Management
Instrumentation
Mechanical Characteristics:
Case: Epoxy, Molded
Epoxy Meets UL 94 V−0 @ 0.125 in
Weight: 1.9 Grams (Approximately)
Finish: All External Surfaces Corrosion Resistant and Terminal
Leads are Readily Solderable
Lead Temperature for Soldering Purposes:
260°C Max. for 10 Seconds
ESD Rating: Human Body Model = 3B
Machine Model = C
http://onsemi.com
SCHOTTKY BARRIER
RECTIFIER
30 AMPERES
100 VOLTS
1
2, 4
3
MARKING
DIAGRAMS
4
1
2
3
TO−220
CASE 221A
STYLE 6
AYWW
B30H100G
AKA
ISOLATED TO−220
CASE 221D
STYLE 3
AYWW
B30H100G
AKA
1
2
3
A = Assembly Location
Y = Year
WW = Work Week
B30H100 = Device Code
G = Pb−Free Package
AKA = Polarity Designator
ORDERING INFORMATION
See detailed ordering and shipping information in the package
dimensions section on page 2 of this data sheet.
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2014
September, 2014 − Rev. 5
1
Publication Order Number:
MBR30H100CT/D




MBR30H100CT pdf, 반도체, 판매, 대치품
MBR30H100CT, MBRF30H100CT
30
28
26
TJ = 175°C
24
SQUARE WAVE
22
20
18
16 dc
14
12
10
8
6
4
2
0
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30
IF(AV), AVERAGE FORWARD CURRENT (AMPS)
Figure 7. Forward Power Dissipation
10000
1000
100
10
0
TJ = 25°C
20 40 60 80
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 8. Capacitance
100
100
D = 0.5
10
0.2
0.1
1 0.05
0.01
0.1
0.01
0.000001
SINGLE PULSE
P(pk)
t1
t2
DUTY CYCLE, D = t1/t2
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
t1, TIME (sec)
Figure 9. Thermal Response Junction−to−Ambient for MBR30H100CT
100 1000
10
D = 0.5
1
0.2
0.1
0.05
0.1
0.01
P(pk)
t1
t2
SINGLE PULSE
DUTY CYCLE, D = t1/t2
0.01
0.000001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10 100 1000
t1, TIME (sec)
Figure 10. Thermal Response Junction−to−Case for MBR30H100CT
http://onsemi.com
4

4페이지










MBR30H100CT 전자부품, 판매, 대치품
MBR30H100CT, MBRF30H100CT
PACKAGE DIMENSIONS
TO−220
CASE 221A−09
ISSUE AH
BF
Q
H
Z
4
1 23
A
K
L
V
G
N
D
−T−
SEATING
PLANE
C
TS
U
R
J
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. DIMENSION Z DEFINES A ZONE WHERE ALL
BODY AND LEAD IRREGULARITIES ARE
ALLOWED.
INCHES
DIM MIN MAX
A 0.570 0.620
B 0.380 0.415
C 0.160 0.190
D 0.025 0.038
F 0.142 0.161
G 0.095 0.105
H 0.110 0.161
J 0.014 0.024
K 0.500 0.562
L 0.045 0.060
N 0.190 0.210
Q 0.100 0.120
R 0.080 0.110
S 0.045 0.055
T 0.235 0.255
U 0.000 0.050
V 0.045 ---
Z --- 0.080
MILLIMETERS
MIN MAX
14.48 15.75
9.66 10.53
4.07 4.83
0.64 0.96
3.61 4.09
2.42 2.66
2.80 4.10
0.36 0.61
12.70 14.27
1.15 1.52
4.83 5.33
2.54 3.04
2.04 2.79
1.15 1.39
5.97 6.47
0.00 1.27
1.15 ---
--- 2.04
STYLE 6:
PIN 1.
2.
3.
4.
ANODE
CATHODE
ANODE
CATHODE
http://onsemi.com
7

7페이지


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