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K2837 데이터시트 PDF




Toshiba Semiconductor에서 제조한 전자 부품 K2837은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 K2837 자료 제공

부품번호 K2837 기능
기능 MOSFET ( Transistor ) - 2SK2837
제조업체 Toshiba Semiconductor
로고 Toshiba Semiconductor 로고


K2837 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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K2837 데이터시트, 핀배열, 회로
2SK2837
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π−MOSV)
2SK2837
Chopper Regulator, DCDC Converter and Motor Drive
Applications
Unit: mm
z Low drainsource ON resistance
: RDS (ON) = 0.21 (typ.)
z High forward transfer admittance
: |Yfs| = 17 S (typ.)
z Low leakage current : IDSS = 100 μA (max) (VDS = 500 V)
z Enhancement mode : Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Drainsource voltage
Draingate voltage (RGS = 20 k)
Gatesource voltage
Drain current
DC (Note 1)
Pulse (Note 1)
Drain power dissipation (Tc = 25°C)
Single pulse avalanche energy
(Note 2)
Avalanche current
Repetitive avalanche energy (Note 3)
Channel temperature
Storage temperature range
VDSS
VDGR
VGSS
ID
IDP
PD
EAS
IAR
EAR
Tch
Tstg
500
500
±30
20
80
150
960
20
www.DataSheet.co.kr
15
150
55 to 150
V
V
V
A
A
W
mJ
A
mJ
°C
°C
1. GATE
2. DRAIN (HEAT SINK)
3. SOURCE
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
2-16C1B
Weight: 4.6 g (typ.)
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the significant change in
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even if the operating conditions (i.e.
operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings. Please design the appropriate
reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook (“Handling Precautions”/“Derating Concept and
Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test report and estimated failure rate, etc).
Thermal Characteristics
Characteristics
Symbol
Max Unit
Thermal resistance, channel to case
Thermal resistance, channel to ambient
Rth (chc)
Rth (cha)
0.833
50
°C / W
°C / W
Note 1: Please use devices on condition that the channel temperature is below 150°C.
Note 2: VDD = 90 V, Tch = 25°C (initial), L = 4.08 mH, RG = 25 , IAR = 20 A
Note 3: Repetitive rating: Pulse width limited by maximum channel temperature
This transistor is an electrostatic sensitive device.
Please handle with caution.
1 2009-09-29
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K2837 pdf, 반도체, 판매, 대치품
2SK2837
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4 2009-09-29
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