Datasheet.kr   

2N7000 데이터시트 PDF




Unisonic Technologies에서 제조한 전자 부품 2N7000은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 2N7000 자료 제공

부품번호 2N7000 기능
기능 60V, 200mA, N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
제조업체 Unisonic Technologies
로고 Unisonic Technologies 로고


2N7000 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 5 페이지수

미리보기를 사용할 수 없습니다

2N7000 데이터시트, 핀배열, 회로
UTC 2N7000
MOSFET
N-CHANNEL ENHANCEMENT
MODE FIELD EFFECT
TRANSISTOR
DESCRIPTION
The UTC 2N7000 has been designed to minimize
on-state resistance while provide rugged, reliable, and fast
switching performance. It can be used in most applications
requiring up to 400mA DC and can deliver pulsed currents
up to 2A. The product is particularly suited for low voltage,
low current applications such as small servo motor control,
power MOSFET gate drivers, and other switching
applications
FEATURES
*High density cell design for low RDS(ON)
*Voltage controlled small signal switch
*Rugged and reliable
*High saturation current capability
1
TO-92
1: SOURCE 2: GATE 3: DRAIN
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS ( Ta=25°C )
PARAMETER
www.DataSheet4U.com
Drain-Source Voltage
Drain-Gate Voltage(RGS1MΩ)
Gate -Source Voltage-Continuous
-Non Repetitive (tp<50µs)
Maximum Drain Current-Continuous
-Pulsed
Maximum Power Dissipation
Derated above 25°C
Operating and Storage Temperature Range
Maximum Lead Temperature for Soldering Purposes, 1/16” from Case
for 10 Seconds
SYMBOL
VDSS
VDGR
VGSS
ID
PD
TJ,TSTG
TL
RATINGS
60
60
±20
±40
115
800
400
3.2
-55 to +150
300
UNIT
V
V
V
mA
mW
mW/°C
°C
°C
THERMAL CHARACTERISTICS
PARAMETER
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
SYMBOL
RθJA
RATINGS
312.5
UNIT
°C/W
UTC
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD. 1
QW-R201-064,A




2N7000 pdf, 반도체, 판매, 대치품
UTC 2N7000
MOSFET
Figure7. Breakdown Voltage Varisation
with Temperature
1.1
1.075
ID=250μA
1.05
1.025
1
0.975
0.95
0.925
-50 -25
0 25 50 75 100 125 150
TJ,JUCTION TEMPERATURE (°C)
Figure 8. Body Diode Forward Voltage
Varisation with Temperature
2
1 VGS=0V
0.5
TJ=125°C
25°C
0.1
0.01
0.005
-55°C
0.001
0.2
0.4 0.6 0.8 1
1.2 1.2
VsD,BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure9.Capacitance Characteristics
60
40
Ciss
20
Coss
10
5 Crss
2 VGS=0V
f=1MHz
1
1
23
5
10
20 30
VDS,DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
50
Figure10. Gate Charge Characteristics
10
VDS=25V
8
6
ID=500mA
4
280mA
2
115mA
0
0 0.4 0.8 1.2 1.6 2
Qg,GATE CHARGE(nC)
VGS
Figure11
VDD
RL
VIN
D
RGEN
G
S
DUT
Figure12. Switching Waveforms
VOUT
td(on)
ton
tr
90%
td(off)
toff
tf
90%
Output ,Vout
Input ,Vin
10%
10%
50%
10%
90%
50%
Inverted
Pulse Width
UTC
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD. 4
QW-R201-064,A

4페이지












구       성 총 5 페이지수
다운로드[ 2N7000.PDF 데이터시트 ]

당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는

포괄적인 데이터시트를 제공합니다.


구매 문의
일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매
-----------------------------------------------------------------------

IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한
광범위한 전력 반도체를 판매합니다.

전력 반도체 전문업체

상호 : 아이지 인터내셔날

사이트 방문 :     [ 홈페이지 ]     [ 블로그 1 ]     [ 블로그 2 ]



관련 데이터시트

부품번호상세설명 및 기능제조사
2N7000

60V, 200mA, N-channel MOSFET

Motorola  Inc
Motorola Inc
2N7000

60V, 200mA, N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor

NXP Semiconductors
NXP Semiconductors

DataSheet.kr       |      2020   |     연락처      |     링크모음      |      검색     |      사이트맵