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US108S 데이터시트 PDF




Unisonic Technologies에서 제조한 전자 부품 US108S은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 US108S 자료 제공

부품번호 US108S 기능
기능 SCRs
제조업체 Unisonic Technologies
로고 Unisonic Technologies 로고


US108S 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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US108S 데이터시트, 핀배열, 회로
UTC US108S/N
SCRs
DESCRIPTION
The UTC US108S/N is suitable to fit all modes of
control, found in applications such as overvoltage
crowbar protection, motor control circuits in power
tools and kitchen aids, inrush current limiting circuits,
capacitive discharge ignition and voltage regulation
circuits.
1
SCR
TO-220
1: CATHODE 2: ANODE 3: GATE
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
PARAMETER
Repetitive peak off-state voltages
www.DataSheet4U.com
US108S/N-4
US108S/N-6
US108S/N-8
RMS on-state current (180° conduction angle) (Tc = 110°C)
Average on-state current (180° conduction angle) (Tc = 110°C)
Non repetitive surge peak on-state current (Tj = 25°C)
tp=8.3ms
tp=10ms
I²t Value for fusing (tp = 10 ms ,Tj = 25°C)
Critical rate of rise of on-state current
(IG = 2 x IGT , tr 100 n s, Tj = 125°C, F = 60 Hz)
Peak gate current (tp=20µs, Tj = 125°C)
Maximum peak reverse gate voltage
Average gate power dissipation (Tj = 125°C)
Storage junction temperature range
Operating junction temperature range
SYMBOL
VDRM
VRRM
IT(RMS)
IT(AV)
RATING
US108S US108N
400
600
800
8
5
UNIT
V
A
A
ITSM
I²t
dI/dt
IGM
VRGM
PG(AV)
Tstg
Tj
73 100
70 95
24.5 45
50
4
5
1
-40 ~ +150
-40 ~ +125
A
A²S
A/µs
A
V
W
°C
°C
UTC
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD.
1
QW-R301-012,B




US108S pdf, 반도체, 판매, 대치품
UTC US108S/N
SCR
Fig.6: Relative variation of dV/dt immunity vs gate-
cathode resistance(typical values) (US108S)
dV/dt(Rgk)/dV/dt(Rgk=220Ω)
10.00
Tj=125
VD=0.67* VDRM
1.00
Fig.7: Relative variation of dV/dt immunity vs gate-
cathode resistance(typical values) (US108S)
15.0 dV/dt(Cgk)/dV/dt(Rgk=220Ω)
Tj=125
12.5 VD=0.67* VDRM
Rgk=220Ω
10.0
7.5
0.10
5.0
0.01
0
Rgk(Ω)
200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800 2000
2.5
Cgk(nF)
0.0
0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 220
Figure.8: Surge peak on-state current vs
number of cycles.
ITSM(A)
100
90
80 US108N
tp=10ms
One cycle
70 Non repetitive
60 Tj Iinitial=25
50 US108S
40 Repetitive
30 Tcase=110
20
10 Number of cycles
0
1 10
100
Fig.9:Non-repetitive surge peak on-state current for a
sinusoidal pulse with width tp<10ms, and corresponding
ITSM(A),I2t(A2s) values of I 2t.
1000
Tjinitial=25
1000
100
10
0.01
dI/dt
limitation
ITSM
US108N
US108S
I2 t
tp(ms)
US108N
US108S
0.10 1.00
10.00
Fig.10: On-state characteristics(maximum values).
ITM(A)
50.0
Tj=max:
Vto=0.85V
10.0 Rd=46mΩ
Tj=Tjmax.
1.0 Tj=25
0.1
0.0
VTM(V)
0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0
UTC
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD.
4
QW-R301-012,B

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