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UT136FE 데이터시트 PDF




Unisonic Technologies에서 제조한 전자 부품 UT136FE은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 UT136FE 자료 제공

부품번호 UT136FE 기능
기능 TRIACS
제조업체 Unisonic Technologies
로고 Unisonic Technologies 로고


UT136FE 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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UT136FE 데이터시트, 핀배열, 회로
UTC UT136FE
TRIACS
DESCRIPTION
Glass passivated sensitive gate triacs in a full pack,plastic
envelop, intended for use in general purpose bidirectional
switching and phase control applications, where high
sensitivity is required in all four quadrants.
SYMBOL
MT2
1
TRIAC
TO-220F
G
MT1
1:MT1 2:MT2 3:GATE
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
PARAMETER
SYMBOL RATINGS
UNIT
Repetitive peak off-state voltages
UT136FE-5
UT136FEw-w6w.DataSheet4U.com VDRM
UT136FE-8
500*
600*
800
V
RMS on-state current
full sine wave; Ths 92 °C
IT(RMS)
4
A
Non-repetitive peak on-state current
Full sine wave; Tj = 125 °C prior to surge; with reapplied VDRM(max)
t = 20ms
t = 16.7 ms
I2t for fusing (t = 10 ms)
ITSM
I2t
25 A
27
3.1 A2s
Repetitive rate of rise of on-state current after triggering
ITM = 6 A; IG = 0.2A;dIG /dt = 0.2A/μs
T2+ G+
T2+ G-
T2- G-
T2- G+
dIT /dt
50
50 A/μs
50
10
Peak gate voltage
VGM 5 V
Peak gate current
IGM 2 A
Peak gate power
PGM 5 W
Average gate power (over any 20 ms period)
PG(AV)
0.5
W
Storage temperature
Tstg
-40 ~ 150
Operating junction temperature
Tj 125
*Although not recommended, off-state voltages up to 800V may be applied without damage, but the traic may switch
to the on-state. The rate of rise of current should not exceed 3A/µs.
UTC
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD. 1
QW-R401-022,B




UT136FE pdf, 반도체, 판매, 대치품
UTC UT136FE
TRIAC
IGT(Tj )
3 IGT(25℃)
2.5
2
T2+G+
T2+G-
T2-G-
T2-G+
1.5
1
0.5
0-50 0
50 100 150
Tj/
Fig. 7.Normalised gate trigger Current
IGT(Tj)/I GT(25),versus junction temperature Tj .
IL(Tj )
3 IL(25℃)
2.5
2
1.5
1
0.5
0-50
0
50
Tj/
100 150
Fig.8.Normalised latching Current I L(Tj)/I L(25),
versus junction temperature Tj.
IH(Tj )
3 IH(25℃)
2.5
2
1.5
1
0.5
0-50 0
50 100 150
Tj/
Fig. 9.Normalised holding current I H(Tj)/I H(25),
versus junction temperature Tj .
IT/A
12 Tj=125
10 Tj=25
max
typ
8
Vo=1.27V
Rs=0.091 Ohms
6
4
2
00 0.5 1 1.5 2 2.5 3
VT/V
Fig.10.Typical and maximum on-state characteristic.
10 Zth j-hs (K/W)
with heatsink compound
without heatsink compound
unidirectional
1
bidirectional
0.1 PD tp
t
0.01
10us 0.1ms 1ms 10ms 0.1s
tp / s
1s
10s
Fig.11.Transient thermal impedance Zthj-mb,versus
pulse width tp.
dVD /dt(V/us)
1000
100
10
1 0 50 100 150
Tj/C
Fig.12.Typical,critical rate of rise of off-satate
voltage,dVD/dt versus junction
temperature Tj.
UTC
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD. 4
QW-R401-022,B

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