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AAT7551 데이터시트 PDF




AAT에서 제조한 전자 부품 AAT7551은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 AAT7551 자료 제공

부품번호 AAT7551 기능
기능 P-Channel Power MOSFET
제조업체 AAT
로고 AAT 로고


AAT7551 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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AAT7551 데이터시트, 핀배열, 회로
General Description
The AAT7551 is a dual low threshold P-channel
MOSFET designed for the battery, cell phone, and
PDA markets. Using AnalogicTech's ultra-high-
density MOSFET process and space-saving,
small outline, J-lead package, performance supe-
rior to that normally found in a TSOP-6 footprint
has been squeezed into the footprint of an
SC70JW-8 package.
Applications
• Battery Packs
• Battery-Powered Portable Equipment
• Cellular and Cordless Telephones
AAT7551
20V P-Channel Power MOSFET
Features
• Drain-Source Voltage (max): -20V
• Continuous Drain Current1 (max):
-2.7A @ 25°C
• Low On-Resistance:
— 100m@ VGS = -4.5V
— 175m@ VGS = -2.5V
Dual SC70JW-8 Package
Top View
D1 D1 D2 D2
8765
Absolute Maximum Ratings
TA = 25°C, unless otherwise noted.
Symbol
VDS
VGS
ID
IDM
IS
TJ
TSTG
Description
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
www.DataSheet4U.com
Continuous Drain Current @ TJ = 150°C1
Pulsed Drain Current2
Continuous Source Current (Source-Drain Diode)1
Operating Junction Temperature Range
Storage Temperature Range
1234
S1 G1 S2 G2
TA = 25°C
TA = 70°C
Value
-20
±12
±2.7
±2.2
±8
-0.6
-55 to 150
-55 to 150
Units
V
A
°C
°C
Thermal Characteristics1
Symbol
RθJA
RθJA2
RθJF
PD
Description
Junction-to-Ambient Steady State
Junction-to-Ambient t<5 Seconds
Junction-to-Foot
Maximum Power Dissipation
TA = 25°C
TA = 70°C
Typ Max Units
132 165
83 104 °C/W
60 72
1.2 W
0.75
1. Based on thermal dissipation from junction to ambient while mounted on a 1" x 1" PCB with optimized layout. A 5-second pulse on a
1" x 1" PCB approximates testing a device mounted on a large multi-layer PCB as in most applications. RθJF + RθFA = RθJA where
the foot thermal reference is defined as the normal solder mounting surface of the device's leads. RθJF is guaranteed by design;
however, RθCA is determined by the PCB design. Actual maximum continuous current is limited by the application's design.
2. Pulse test: Pulse Width = 300µs.
7551.2005.04.1.0
1




AAT7551 pdf, 반도체, 판매, 대치품
Typical Characteristics
TJ = 25ºC, unless otherwise noted.
Gate Charge
5
VD = 10V
4 ID = 2.7A
3
2
1
0
01
2 34
QG, Charge (nC)
5
6
AAT7551
20V P-Channel Power MOSFET
Source-Drain Diode Forward Voltage
100
10
1
0.1
0
TJ = 150°C
TJ = 25°C
0 .2 0.4 0 .6 0.8 1 1.2
VSD (V)
600
Ciss
400
Capacitance
200
Crss
Coss
0
0 5 10 15
VDS (V)
20
Single Pulse Power, Junction to Ambient
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0.0001
0.001
0.01
0.1 1
Time (s)
10 100 1000
Transient Thermal Response, Junction to Ambient
10
1
.5
.2
.1
0.1
.02
.01
Single Pulse
0.01
0.0001
0.001
0.01
0.1
Time (s)
1
10 100
1000
4 7551.2005.04.1.0

4페이지












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