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AAT8303 데이터시트 PDF




AAT에서 제조한 전자 부품 AAT8303은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 AAT8303 자료 제공

부품번호 AAT8303 기능
기능 P-Channel Power MOSFET
제조업체 AAT
로고 AAT 로고


AAT8303 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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AAT8303 데이터시트, 핀배열, 회로
General Description
The AAT8303 is a low threshold P Channel MOS-
FET designed for the battery, cell phone, and PDA
markets. Using AnalogicTech™'s proprietary ultra-
high density Trench technology, and space saving
small outline J-lead package, performance superi-
or to that normally found in a larger footprint has
been squeezed into the area of a TSOP6 package.
Applications
• Battery Packs
• Cellular & Cordless Telephones
• Battery-powered portable equipment
• Load Switches
AAT8303
20V P-Channel Power MOSFET
Features
• VDS(MAX) = -20V
• ID(MAX) 1 = -10A @ 25°C
• Low RDS(ON):
• 14 m@ VGS = -4.5V
• 24 m@ VGS = -2.5V
TSOPJW-8 Package
Top View
DDDD
8765
www.DataSheet4U.com
1234
SSSG
Absolute Maximum Ratings (TA=25°C unless otherwise noted)
Symbol
VDS
VGS
ID
IDM
IS
PD
TJ, TSTG
Description
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current @ TJ=150°C 1
Pulsed Drain Current 2
Continuous Source Current (Source-Drain Diode) 1
Maximum Power Dissipation 1
Operating Junction and Storage Temperature Range
TA = 25°C
TA = 70°C
TA = 25°C
TA = 70°C
Value
-20
±12
±10
±8
±48
-2.3
2.3
1.5
-55 to 150
Thermal Characteristics
Symbol
RθJA
RθJA2
RθJF
Description
Junction-to-Ambient steady state 1
Junction-to-Ambient t<5 seconds 1
Junction-to-Foot 1
Typ Max
86 105
44 54
27 32
Units
V
A
W
°C
Units
°C/W
°C/W
°C/W
8303.2003.09.0.62
1




AAT8303 pdf, 반도체, 판매, 대치품
Typical Characteristics
(TJ = 25ºC unless otherwise noted)
Gate Charge
5
VD=10V
4 ID=10A
3
2
1
0
0 5 10 15 20 25 30 35 40
QG, Charge (nC)
Capacitance
5000
4000
3000
2000
1000
0
0
Ciss
Coss
Crss
5
10
VDS (V)
15
20
AAT8303
20V P-Channel Power MOSFET
Source-Drain Diode Forward Voltage
100
10
TJ = 150°C
1
TJ = 25°C
0.1
0
0 .2 0.4 0 .6 0.8
VSD (V)
1 1.2
Single Pulse Power, Junction to Ambient
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0.001
0.01
0.1 1
Time (s)
10
100 1000
Transient Thermal Response, Junction to Ambient
10
.5
1
.2
.1
.02
0.1 .01
Single Pulse
0.01
0.0001
0.001
0.01
0.1
Time (s)
1
10
100
1000
4 8303.2003.09.0.62

4페이지












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