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FDS8884 데이터시트 PDF




Fairchild Semiconductor에서 제조한 전자 부품 FDS8884은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 FDS8884 자료 제공

부품번호 FDS8884 기능
기능 N-Channel MOSFET
제조업체 Fairchild Semiconductor
로고 Fairchild Semiconductor 로고


FDS8884 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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FDS8884 데이터시트, 핀배열, 회로
February 2006
FDS8884
N-Channel PowerTrench® MOSFET
30V, 8.5A, 23m
General Descriptions
This N-Channel MOSFET has been designed specifically
to improve the overall efficiency of DC/DC converters using
either synchronous or conventional switching PWM
controllers. It has been optimized for low gate charge, low
rDS(on) and fast switching speed.
AD FREE I
Features
„ Max rDS(on) = 23mat VGS = 10V, ID = 8.5A
„ Max rDS(on) = 30mat VGS = 4.5V, ID = 7.5A
„ Low gate charge
„ 100% RG Tested
„ RoHS Compliant
DD
D
D
SO-8
S SSG
www.DataSheet4U.com
5
6
7
8
4
3
2
1
MOSFET Maximum Ratings TA = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
VDS Drain to Source Voltage
VGS Gate to Source Voltage
ID
Drain Current Continuous
Pulsed
(Note 1a)
EAS Single Pulse Avalanche Energy
PD
Power dissipation
Derate above 25oC
(Note 2)
TJ, TSTG
Operating and Storage Temperature
Ratings
30
±20
8.5
40
32
2.5
20
-55 to 150
Units
V
V
A
A
mJ
W
mW/oC
oC
Thermal Characteristics
RθJA
RθJA
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Thermal Resistance, Junction to Case
(Note 1a)
(Note 1)
50
25
oC/W
oC/W
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
FDS8884
Device
FDS8884
Package
SO-8
Reel Size
330mm
Tape Width
12mm
Quantity
2500 units
©2006 Fairchild Semiconductor Corporation
FDS8884 Rev. A
1
www.fairchildsemi.com




FDS8884 pdf, 반도체, 판매, 대치품
Typical Characteristics TJ = 25°C unless otherwise noted
10
8
VDD = 10V
VDD = 15V
6
4 VDD = 20V
2
0
0 2 4 6 8 10
Qg, GATE CHARGE(nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
700
600
500
f = 1MHz
400 VGS = 0V
300
200
100 Crss
Coss
Ciss
0.1 1
10
VDS, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
30
Figure 8. Capacitance vs Drain to Source Voltage
20
10
STARTING TJ = 25oC
STARTING TJ = 125oC
1
0.01
0.1 1
tAV, TIME IN AVALANCHE(ms)
10 20
Figure 9. Unclamped Inductive Switching
Capability
9
8
7 VGS = 10V
6
5 VGS = 4.5V
4
3
2
1 RθJA = 50oC/W
0
25 50 75
100 125
TA, AMBIENT TEMPERATURE(oC)
150
Figure 10. Maximum Continuous Drain Current vs
Ambient Temperature
100
10us
10
100us
1 1ms
OPERATION IN THIS
10ms
AREA MAY BE
0.1 LIMITED BY rDS(on)
SINGLE PULSE
TJ = MAX RATED
100ms
1s
TA = 25oC
0.01
0.1
1
DC
10 100
VDS, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Forward Bias Safe Operating Area
2000
1000
100
VGS=10V
TA = 25oC
FOR TEMPERATURES
ABOVE 25oC DERATE PEAK
CURRENT AS FOLLOWS:
I = I25
1----5---0-1---2---5---T---A---
10
SINGLE PULSE
1
10-5 10-4 10-3 10-2 10-1 100 101 102
t, PULSE WIDTH (s)
Figure 12. Single Pulse Maximum Power
Dissipation
FDS8884 Rev. A
4 www.fairchildsemi.com

4페이지












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