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FDS8878 데이터시트 PDF




Fairchild Semiconductor에서 제조한 전자 부품 FDS8878은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 FDS8878 자료 제공

부품번호 FDS8878 기능
기능 N-Channel MOSFET
제조업체 Fairchild Semiconductor
로고 Fairchild Semiconductor 로고


FDS8878 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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FDS8878 데이터시트, 핀배열, 회로
June 2005
FDS8878
N-Channel PowerTrench® MOSFET
30V, 10.2A, 14m
Features
„ rDS(ON) = 14m, VGS = 10V, ID = 10.2A
„ rDS(ON) = 17m, VGS = 4.5V, ID = 9.3A
„ High performance trench technology for extremely low
rDS(ON)
„ Low gate charge
General Description
This N-Channel MOSFET has been designed specifically to
improve the overall efficiency of DC/DC converters using
either synchronous or conventional switching PWM
controllers. It has been optimized for low gate charge, low
rDS(ON) and fast switching speed.
„ High power and current handling capability
Applications
„ DC/DC converters
www.DataSheet4U.com
Branding Dash
1
2
3
4
SO-8
5
54
63
72
81
©2005 Fairchild Semiconductor Corporation
FDS8878 Rev. A1
1
www.fairchildsemi.com




FDS8878 pdf, 반도체, 판매, 대치품
Typical Characteristics TA = 25°C unless otherwise noted
1.2 12
1.0
9 VGS = 10V
0.8
0.6 6 VGS = 4.5V
0.4
0.2
0
0 25 50 75 100 125 150
TA, AMBIENT TEMPERATURE (oC)
Figure 1. Normalized Power Dissipation vs
Ambient Temperature
3
RθJA=50oC/W
0
25 50 75 100 125
TA, AMBIENT TEMPERATURE (oC)
150
Figure 2. Maximum Continuous Drain Current vs
Ambient Temperature
2
DUTY CYCLE - DESCENDING ORDER
1 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.1
RθJA=50oC/W
PDM
0.01
0.001
10-5
SINGLE PULSE
t1
t2
NOTES:
DUTY FACTOR: D = t1/t2
PEAK TJ = PDM x ZθJA x RθJA + TA
10-4
10-3
10-2
10-1
100
101
102
103
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
Figure 3. Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
1000
VGS = 10V
100
VGS = 4.5V
TRANSCONDUCTANCE
MAY LIMIT CURRENT
IN THIS REGION
TA = 25oC
FOR TEMPERATURES
ABOVE 25oC DERATE PEAK
CURRENT AS FOLLOWS:
I = I25 150 - TA
125
10
5
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
100
101
102
103
t, PULSE WIDTH (s)
Figure 4. Peak Current Capability
FDS8878 Rev. A1
4 www.fairchildsemi.com

4페이지










FDS8878 전자부품, 판매, 대치품
Test Circuits and Waveforms
VARY tP TO OBTAIN
REQUIRED PEAK IAS
VGS
tP
0V
RG
VDS
L
DUT
+
VDD
-
IAS
0.01
0
tP
IAS
BVDSS
VDS
VDD
tAV
Figure 14. Unclamped Energy Test Circuit
Figure 15. Unclamped Energy Waveforms
VGS
Ig(REF)
VDS
RL
DUT
+
VDD
-
Figure 16. Gate Charge Test Circuit
VDD
Qgs2
Qg(TOT)
VDS
Qg(5)
VGS
VGS = 10V
VGS = 5V
VGS = 1V
0
Qg(TH)
Qgs
Ig(REF)
0
Qgd
Figure 17. Gate Charge Waveforms
VDS
RL
VGS
VGS
RGS
DUT
+
VDD
-
Figure 18. Switching Time Test Circuit
VDS
tON
td(ON)
tr
90%
tOFF
td(OFF)
tf
90%
10%
0
VGS
10%
0
50%
PULSE WIDTH
10%
90%
50%
Figure 19. Switching Time Waveforms
FDS8878 Rev. A1
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