Datasheet.kr   

FDS8876 데이터시트 PDF




Fairchild Semiconductor에서 제조한 전자 부품 FDS8876은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 FDS8876 자료 제공

부품번호 FDS8876 기능
기능 N-Channel MOSFET
제조업체 Fairchild Semiconductor
로고 Fairchild Semiconductor 로고


FDS8876 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 12 페이지수

미리보기를 사용할 수 없습니다

FDS8876 데이터시트, 핀배열, 회로
April 2007
FDS8876
N-Channel PowerTrench® MOSFET
30V, 12.5A, 8.2m
tm
Features
„ rDS(on) = 8.2m, VGS = 10V, ID = 12.5A
„ rDS(on) = 10.2m, VGS = 4.5V, ID = 11.4A
„ High performance trench technology for extremely low
rDS(on)
„ Low gate charge
„ High power and current handling capability
„ RoHS Compliant
General Description
This N-Channel MOSFET has been designed specifically to
improve the overall efficiency of DC/DC converters using
either synchronous or conventional switching PWM
controllers. It has been optimized for low gate charge, low
rDS(on) and fast switching speed.
Applications
„ DC/DC converters
Branding Dash
1
2
3
4
SO-8
5
54
63
72
81
©2007 Fairchild Semiconductor Corporation
FDS8876 Rev. B
1
www.fairchildsemi.com




FDS8876 pdf, 반도체, 판매, 대치품
Typical Characteristics TJ = 25°C unless otherwise noted
1.2 16
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0 25 50 75 100 125 150
TA, AMBIENT TEMPERATURE (oC)
Figure 1. Normalized Power Dissipation vs
Ambient Temperature
12
VGS = 10V
8
VGS = 4.5V
4
RθJA=50oC/W
0
25 50 75 100 125
TA, AMBIENT TEMPERATURE (oC)
150
Figure 2. Maximum Continuous Drain Current vs
Ambient Temperature
2
1
0.1
0.01
DUTY CYCLE-DESCENDING ORDER
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.001
0.0005
10-4
SINGLE PULSE
RθJA = 125oC/W
10-3
10-2
10-1
100
101
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
Figure 3. Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
102
103
2000
1000
100
VGS = 10V
SINGLE PULSE
RθJA = 125oC/W
TA = 25oC
10
1
0.5
10-4
10-3 10-2 10-1 100
t, PULSE WIDTH (s)
101
Figure 4. Single Pulse Maximum Power Dissipation
102
103
©2007 Fairchild Semiconductor Corporation
FDS8876 Rev. B
4
www.fairchildsemi.com

4페이지










FDS8876 전자부품, 판매, 대치품
Test Circuits and Waveforms
VARY tP TO OBTAIN
REQUIRED PEAK IAS
VGS
tP
0V
RG
VDS
L
DUT
+
VDD
-
IAS
0.01
0
tP
IAS
BVDSS
VDS
VDD
tAV
Figure 15. Unclamped Energy Test Circuit
Figure 16. Unclamped Energy Waveforms
VGS
Ig(REF)
VDS
L
DUT
+
VDD
-
Figure 17. Gate Charge Test Circuit
VDD
Qgs2
Qg(TOT)
VDS
Qg(5)
VGS
VGS = 10V
VGS = 5V
VGS = 1V
0
Qg(TH)
Qgs
Ig(REF)
0
Qgd
Figure 18. Gate Charge Waveforms
VDS
RL
VGS
VGS
RGS
DUT
+
VDD
-
Figure 19. Switching Time Test Circuit
VDS
tON
td(ON)
tr
90%
tOFF
td(OFF)
tf
90%
10%
0
VGS
10%
0
50%
PULSE WIDTH
10%
90%
50%
Figure 20. Switching Time Waveforms
©2007 Fairchild Semiconductor Corporation
FDS8876 Rev. B
7
www.fairchildsemi.com

7페이지


구       성 총 12 페이지수
다운로드[ FDS8876.PDF 데이터시트 ]

당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는

포괄적인 데이터시트를 제공합니다.


구매 문의
일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매
-----------------------------------------------------------------------

IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한
광범위한 전력 반도체를 판매합니다.

전력 반도체 전문업체

상호 : 아이지 인터내셔날

사이트 방문 :     [ 홈페이지 ]     [ 블로그 1 ]     [ 블로그 2 ]



관련 데이터시트

부품번호상세설명 및 기능제조사
FDS8870

N-Channel MOSFET

Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
FDS8874

N-Channel MOSFET

Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor

DataSheet.kr       |      2020   |     연락처      |     링크모음      |      검색     |      사이트맵