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FDS8813NZ 데이터시트 PDF




Fairchild Semiconductor에서 제조한 전자 부품 FDS8813NZ은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 FDS8813NZ 자료 제공

부품번호 FDS8813NZ 기능
기능 N-Channel MOSFET
제조업체 Fairchild Semiconductor
로고 Fairchild Semiconductor 로고


FDS8813NZ 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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FDS8813NZ 데이터시트, 핀배열, 회로
March 2007
FDS8813NZ
N-Channel PowerTrench® MOSFET
30V, 18.5A, 4.5mΩ
tm
Features
General Description
„ Max rDS(on) = 4.5mΩ at VGS = 10V, ID = 18.5A
„ Max rDS(on) = 6.0mΩ at VGS = 4.5V, ID =16A
„ HBM ESD protection level of 5.6kV typical (note 3)
„ High performance trench technology for extremely low rDS(on)
„ High power and current handling capability
„ RoHS compliant
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild
Semiconductor’s advanced PowerTrench® process that has
been especially tailored to minimize the on-state resistance.
This device is well suited for Power Management and load
switching applications common in Notebook Computers and
Portable Battery Packs.
D
D
D
D
SO-8
Pin 1
D
G www.DataSheet4U.com
S
S
S
D
D
D
G
S
S
S
MOSFET Maximum Ratings TA = 25°C unless otherwise noted
Symbol
VDS
VGS
ID
EAS
PD
TJ, TSTG
Parameter
Drain to Source Voltage
Gate to Source Voltage
Drain Current -Continuous
-Pulsed
Single Pulse Avalanche Energy
Power Dissipation
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature Range
Thermal Characteristics
RθJC
RθJA
RθJA
Thermal Resistance, Junction to Case
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
FDS8813NZ
Device
FDS8813NZ
Reel Size
13”
(Note 1a)
(Note 4)
(Note 1a)
(Note 1b)
Ratings
30
±20
18.5
74
337
2.5
1.0
-55 to +150
Units
V
V
A
mJ
W
°C
(Note 1)
(Note 1a)
(Note 1b)
25
50
125
°C/W
Tape Width
12mm
Quantity
2500 units
©2007 Fairchild Semiconductor Corporation
FDS8813NZ Rev.C
1
www.fairchildsemi.com




FDS8813NZ pdf, 반도체, 판매, 대치품
Typical Characteristics TJ = 25°C unless otherwise noted
10
ID = 18.5A
8
6
VDD = 10V
VDD = 15V
4 VDD =20V
2
0
0 10 20 30 40 50 60
Qg, GATE CHARGE(nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
10000
Ciss
1000
Coss
f = 1MHz
VGS = 0V
Crss
100
0.1
1 10
VDS, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure8. CapacitancevsDrain
to Source Voltage
50
30
10 TJ = 25oC
TJ = 125oC
1
0.01
0.1 1 10 100
tAV, TIME IN AVALANCHE(ms)
Figure9. UnclampedInductive
Switching Capability
1000
10-3
VGS = 0V
10-4
10-5
TJ = 150oC
10-6
10-7 TJ = 25oC
10-8
10-9
0
5 10 15 20 25 30
VGS, GATE TO SOURCE VOLTAGE(V)
Figure 10. Gate Leakage Current vs Gate to
Source Voltage
20
VGS = 10V
15
10
VGS = 4.5V
RθJA = 50oC/W
5
0
25 50 75 100 125
TA, AMBIENT TEMPERATURE (oC)
Figure 11. Maximum Continuous Drain
Current vs Ambient Temperature
150
100
RDS(ON) LIMITED
1ms
10
10ms
1 100ms
SINGLE PULSE
TJ = MAX RATED
0.1 RθJA = 125oC/W
TA = 25oC
1s
10s
DC
0.01
0.01 0.1 1 10 100
VDS, DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 12. Forward Bias Safe
Operating Area
FDS8813NZ Rev.C
4 www.fairchildsemi.com

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