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CEB02N6 데이터시트 PDF




CET에서 제조한 전자 부품 CEB02N6은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 CEB02N6 자료 제공

부품번호 CEB02N6 기능
기능 N-CHANNEL LOGIC LEVEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
제조업체 CET
로고 CET 로고


CEB02N6 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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CEB02N6 데이터시트, 핀배열, 회로




CEB02N6 pdf, 반도체, 판매, 대치품
CEP02N6/CEB02N6
600
500
400
Ciss
300
200
100
0
0
Coss
Crss
5 10 15 20 25
VDS, Drain-to Source Voltage (V)
Figure 3. Capacitance
1.30
1.20
VDS=VGS
ID=250ӴA
1.10
1.00
0.90
0.80
0.70
0.60
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
Tj, Junction Temperature ( C)
Figure 5. Gate Threshold Variation
with Temperature
4
VDS=50V
3
2
1
0
0 12 34
IDS, Drain-Source Current (A)
Figure 7. Transconductance Variation
with Drain Current
4-5
2.2
ID=1A
VGS=10V
1.9
1.6
1.3
1.0
0.7
0.4
-100 -50
0 50 100 150 200
TJ, Junction Temperature( C)
Figure 4. On-Resistance Variation with
Temperature
1.15
1.10 ID=250ӴA
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
Tj, Junction Temperature ( C)
Figure 6. Breakdown Voltage Variation
with Temperature
20
10 VGS=0V
4
1
0.1
0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
VSD, Body Diode Forward Voltage (V)
Figure 8. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current

4페이지












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