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CEB13N10 PDF 데이터시트 ( Data , Function )

부품번호 CEB13N10 기능
기능 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
제조업체 CET
로고 CET 로고 


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CEB13N10 데이터시트, 핀배열, 회로
CEP13N10/CEB13N10
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
FEATURES
100V, 12.8A, RDS(ON) = 180m@VGS = 10V.
Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).
High power and current handing capability.
Lead free product is acquired.
TO-220 & TO-263 package.
D
D
G
S
CEB SERIES
TO-263(DD-PAK)
G
D
S
CEP SERIES
TO-220
G
S
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless otherwise noted
Parameter
Symbol
Limit
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Drain Current-Continuous
Drain Current-Pulsed a
Maximum Power Dissipation @ TC = 25 C
- Derate above 25 C
VDS
VGS
ID
IDM
PD
100
±20
12.8
50
65
0.43
Operating and Store Temperature Range
TJ,Tstg
-55 to 175
Thermal Characteristics
Parameter
Thermal Resistance, Junction-to-Case
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
Symbol
RθJC
RθJA
Limit
2.3
62.5
Units
V
V
A
A
W
W/ C
C
Units
C/W
C/W
2005.August
http://www.cetsemi.com
1




CEB13N10 pdf, 반도체, 판매, 대치품
CEP13N10/CEB13N10
10 VDS=80V
ID=12.8A
8
6
4
2
0
0 2 4 6 8 10 12
Qg, Total Gate Charge (nC)
Figure 7. Gate Charge
VDD
RL
VIN
D VOUT
VGS
RGEN G
S
102
RDS(ON)Limit
101
100
100µs
1ms
10ms
DC
TC=25 C
TJ=175 C
10-1 Single Pulse
10-1 100 101 102
VDS, Drain-Source Voltage (V)
Figure 8. Maximum Safe
Operating Area
td(on)
VOUT
t on
tr
td(off)
90%
10% INVERTED
toff
tf
90%
10%
VIN
10%
50%
90%
50%
PULSE WIDTH
4
Figure 9. Switching Test Circuit
Figure 10. Switching Waveforms
100
D=0.5
10-1
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
Single Pulse
10-2
10-2
10-1
100 101 102
Square Wave Pulse Duration (msec)
PDM
t1
t2
1. R JC (t)=r (t) * R JC
2. R JC=See Datasheet
3. TJM-TC = P* R JC (t)
4. Duty Cycle, D=t1/t2
103
104
Figure 11. Normalized Thermal Transient Impedance Curve
4

4페이지












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다운로드[ CEB13N10.PDF 데이터시트 ]


 
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