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CEU41A2 데이터시트 PDF




CET에서 제조한 전자 부품 CEU41A2은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 CEU41A2 자료 제공

부품번호 CEU41A2 기능
기능 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
제조업체 CET
로고 CET 로고


CEU41A2 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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CEU41A2 데이터시트, 핀배열, 회로
CED41A2/CEU41A2
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
FEATURES
20V, 36A, RDS(ON) = 20m@VGS = 4.5V.
RDS(ON) = 30m@VGS = 2.5V.
Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).
High power and current handing capability.
Lead free product is acquired.
TO-251 & TO-252 package.
D
D
G
S
CEU SERIES
TO-252(D-PAK)
G
DS
CED SERIES
TO-251(I-PAK)
G
S
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless otherwise noted
Parameter
Symbol
Limit
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Drain Current-Continuous
Drain Current-Pulsed a
Maximum Power Dissipation @ TC = 25 C
- Derate above 25 C
VDS
VGS
ID
IDM
PD
20
±12
36
100
43
0.29
Operating and Store Temperature Range
TJ,Tstg
-55 to 175
Thermal Characteristics
Parameter
Thermal Resistance, Junction-to-Case
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
Symbol
RθJC
RθJA
Limit
3.5
50
Units
V
V
A
A
W
W/ C
C
Units
C/W
C/W
Rev 1. 2005.May
6 - 62
http://www.cetsemi.com




CEU41A2 pdf, 반도체, 판매, 대치품
CED41A2/CEU41A2
5 VDS=10V
ID=10.7A
4
3
2
1
0
04
8 12 16
Qg, Total Gate Charge (nC)
Figure 7. Gate Charge
VDD
RL
VIN
D VOUT
VGS
RGEN G
S
103
102 RDS(ON)Limit
101
100µs
1ms
10ms
DC
TC=25 C
TJ=175 C
100 Single Pulse
10-1 100 101 102
VDS, Drain-Source Voltage (V)
Figure 8. Maximum Safe
Operating Area
td(on)
VOUT
t on
tr
td(off)
90%
10% INVERTED
toff
tf
90%
10%
VIN
10%
50%
90%
50%
PULSE WIDTH
6
Figure 9. Switching Test Circuit
Figure 10. Switching Waveforms
100
D=0.5
0.2
10-1
0.1
0.05
0.02
0.01
Single Pulse
10-2
10-2
10-1
100 101 102
Square Wave Pulse Duration (msec)
PDM
t1
t2
1. R JC (t)=r (t) * R JC
2. R JC=See Datasheet
3. TJM-TC = P* R JC (t)
4. Duty Cycle, D=t1/t2
103
104
Figure 11. Normalized Thermal Transient Impedance Curve
6 - 65

4페이지












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