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NJ14AL 데이터시트 PDF




InterFET에서 제조한 전자 부품 NJ14AL은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 NJ14AL 자료 제공

부품번호 NJ14AL 기능
기능 Silicon Junction Field-Effect Transistor
제조업체 InterFET
로고 InterFET 로고


NJ14AL 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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NJ14AL 데이터시트, 핀배열, 회로
F-4
NJ14AL Process
Silicon Junction Field-Effect Transistor
¥ Low-Noise, High Gain Amplifier
¥ Rf AMP to 1.0 Ghz
Absolute maximum ratings at TA = 25¡C
Gate Current, Ig
10 mA
Operating Junction Temperature, Tj
+150°C
Storage Temperature, Ts
– 65°C to +175°C
Devices in this Databook based on the NJ14AL Process.
Datasheet
IF140, IF140A
IF142
www.DataSheet4U.com
01/99
G
S-D
S-D
G
Die Size = 0.016" X 0.016"
All Round Bond Pads = 0.0028"
All Square Bond Pads = 0.004"
Substrate is also Gate.
At 25°C free air temperature:
Static Electrical Characteristics
Gate Source Breakdown Voltage
Gate Reverse Current
Gate Source Cutoff Voltage
Drain Saturation Current (Pulsed)
V(BR)GSS
IGSS
VGS(OFF)
IDSS
Dynamic Electrical Characteristics
Common Source Forward Transconductance gfs
Common Source Input Capacitance
Ciss
Common Source Reverse Transfer Capacitance Crss
Equivalent Noise Voltage
N
Min
– 15
– 0.5
0.5
Typ
– 22
– 2.0
10
Max
– 100
–7
20
NJ14AL Process
Unit Test Conditions
V IG = – 1 µA, VDS = ØV
pA VGS = – 10V, VDS = ØV
V VGS = 10V, ID = 1 nA
mA VDS = 10V, VGS = ØV
5.5
mS VDS = 10V, VGS = ØV
f = 1 kHz
2.3
pF VDS = 15V, VGS = ØV
f = 1 MHz
0.5
pF VDS = 15V, VGS = ØV
f = 1 MHz
4
nV/HZ VDS = 10V, ID = 5 mA
f = 1 kHz
1000 N. Shiloh Road, Garland, TX 75042
(972) 487-1287 FAX (972) 276-3375
www.interfet.com





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